三星電子最新新聞稿 已開始量產3層以上100D NAND。最大可能的配置允許生產 136 層的晶片，這成為更密集的 3D NAND 快閃記憶體之路上的新里程碑。缺乏清晰的記憶體配置暗示超過 100 層的晶片是由兩個或很可能是三個單片 3D NAND 晶片（例如 48 層）組裝而成。在焊接晶體的過程中，一些邊界層被破壞，這使得無法準確指示晶體的層數，因此三星後來不會被指責不準確。
然而，三星堅持採用獨特的通道孔蝕刻，這開啟了穿透單片結構的厚度並將水平閃存陣列連接到一個儲存晶片中的可能性。首批100層產品是容量為3 Gbit的256D NAND TLC晶片。該公司將於今年秋季開始生產 512(+) 層的 100 Gbit 晶片。
拒絕發布更高容量的記憶體是因為（可能）在發布新產品時的缺陷程度在較低容量的記憶體的情況下更容易控制。透過“增加層數”，三星能夠在不損失產能的情況下生產更小的晶片。此外，晶片在某些方面變得更簡單，因為現在整塊晶片上不再有 930 億個垂直孔，只需蝕刻 670 億個孔就足夠了。據三星稱，這簡化並縮短了生產週期，並使勞動生產力提高了 20%，這意味著成本越來越低。
基於100層內存，三星開始生產帶有SATA介面的256GB SSD。該產品將供應給PC OEM廠商。毫無疑問，三星將很快推出可靠且相對便宜的固態硬碟。
向 100 層結構的過渡並沒有迫使我們犧牲效能或功耗。全新 256 Gbit 3D NAND TLC 整體速度比 10 層記憶體快 96%。晶片控制電子裝置的改進設計使得寫入模式下的資料傳輸率保持在 450 μs 以下，讀取模式下的資料傳輸率保持在 45 μs 以下。同時，消耗量減少了15%。最有趣的是，基於100層3D NAND，該公司承諾接下來將發布300層3D NAND，只需將三個傳統單片100層晶體連接起來即可。如果三星明年能夠開始量產300層3D NAND，對於競爭對手來說將是一個慘痛的打擊， 閃存產業。
來源： 3dnews.ru