三星正在充分利用其在使用 EUV 掃描器的半導體光刻方面的領先優勢。隨著台積電準備在 13,5 月開始使用 7 nm 掃描儀，使其用於生產第二代 XNUMX nm 製程的晶片，三星正在更深入地研究和研究 完成5奈米設計標準的技術流程開發。此外，這家韓國巨頭也宣布開始接受5奈米解決方案的生產訂單，用於多設計晶圓上的生產。這意味著三星已準備好接受採用 5 nm 標準的數位晶片設計，並生產可工作的 5 nm 晶片的試點批次。
三星保持了設計元素 (IP)、設計工具和檢查工具之間的互通性，幫助該公司快速從提供 EUV 7 奈米製程技術轉向生產也使用 EUV 的 5 奈米解決方案。除此之外，這意味著該公司的客戶將節省購買設計工具、測試和現成的 IP 模組的費用。去年第四季度，作為採用 EUV 的三星 7 奈米標準晶片開發的一部分，用於設計、方法論（DM、設計方法論）和 EDA 自動化設計平台的 PDK 已推出。所有這些工具將確保採用 FinFET 電晶體的 5 nm 製程技術的數位專案的開發。
與使用 EUV 掃描儀的 7nm 製程相比，該公司 去年，5奈米製程技術將使晶片面積使用效率提高25%（三星避免直接聲明晶片面積尺寸減少25%，這給它留下了操縱數字的空間）。此外，向 5 奈米製程的過渡將減少 20% 的晶片消耗或將解決方案的性能提高 10%。另一個好處是減少半導體生產所需的光掩模數量。
三星在華城的 S3 工廠使用 EUV 掃描器生產產品。今年下半年，該公司將完成 Fab S3 旁的新工廠建設，準備在明年使用 EUV 製程生產晶片。
來源： 3dnews.ru