本周中國長江存儲公司 開發破紀錄的 128 層 3D NAND 快閃記憶體。中國將跳過96層記憶體的生產階段，並在今年底立即開始生產128層記憶體。這樣，他們就達到了行業龍頭的水平，相當於在公牛面前揮舞著紅布。 「公牛」的反應正如預期的那樣。
韓國網站 ETNews 今天 三星已加速開發 160 層 3D NAND（或 V-NAND，該公司稱之為多層快閃記憶體）。三星稱之為「超級差距」策略，或者說領先，這應該有助於韓國科技領導者在競爭中保持領先。由於三星的成功是韓國經濟的核心，關係到整個國家的繁榮，因此該公司認真對待自己的工作。
三星推出100+層內存 。我們可以假設該公司已連續第三季發布傳統的 128 層記憶體（確切的層數仍然未知）。接下來出場的應該是160層甚至更多層的三星記憶體。它將屬於第7代V-NAND記憶體。據傳，該公司的發展已取得重大進展。有觀點認為，三星將成為第一個達到 160 層大關的公司，就像所有前幾代 3D NAND 記憶體一樣。
來源： 3dnews.ru