三星電子繼續深入研究 10 奈米級製程技術。 此次，距離採用第二代16奈米級（4y-nm）製程技術的DDR10記憶體開始量產僅1個月後，這家韓國製造商就完成了採用第三代4奈米級製程技術的DDR10內存晶片的開發（ 1z-nm）製程技術。 重要的是，第三代10nm級製程仍使用193nm光刻掃描儀，並不依賴低效能的EUV掃描儀。 這意味著使用最新 1z-nm 製程技術進行記憶體大規模生產的過渡將相對較快，並且無需重新裝備生產線而產生大量財務成本。
該公司將於今年下半年開始量產採用8奈米級4z奈米製程技術的1Gbit DDR10晶片。 按照向 20nm 製程技術過渡以來的慣例，三星並未透露該製程技術的具體規格。 假設該公司的1x-nm 10-nm級技術製程符合18 nm標準，1y-nm製程符合17-或16-nm標準，最新的1z-nm符合16-或15-nm標準，甚至可能達到13 nm。 無論如何，縮小技術流程的規模再次將一塊晶圓的晶體產量提高了 20%，正如三星所承認的那樣。 未來，這將使該公司能夠以更便宜或更高的利潤銷售新內存，直到競爭對手在生產中取得類似的結果。 然而，令人有點擔憂的是，三星無法製造 1z-nm 16 Gbit DDR4 晶體。 這可能暗示生產中的缺陷率會增加。
採用第三代10奈米級製程技術，該公司將率先生產伺服器記憶體和高階PC記憶體。 未來，1z-nm 10nm級製程技術將適用於DDR5、LPDDR5和GDDR6記憶體的生產。 伺服器、行動裝置和圖形將能夠充分利用更快、記憶體消耗更少的內存，這將透過向更薄的生產標準的過渡而得到促進。
來源： 3dnews.ru