斯格明子是最小的磁渦旋結構（以英國理論物理學家托尼·斯凱爾梅的名字命名，他在上世紀 60 年代預言了這種結構）有望成為未來磁記憶的基礎。 這些是拓撲穩定的磁性結構，可以在磁性薄膜中被激發，然後可以讀取它們的狀態。 在這種情況下，寫入和讀取是利用自旋電流進行的——透過傳遞電子自旋的角動量。 這意味著可以用極低的電流進行寫入和讀取。 此外，支援磁渦流不需要恆定的電源，這導致了經濟的非揮發性記憶體。
過去幾年，科學家們 和為 正在密切研究斯格明子的行為，並且相信這些結構將有助於顯著提高磁記錄密度，這並非沒有道理。 而且，最近英國和美國科學家 ，如何使用斯格明子顯著提高記錄密度，而不會在減小渦旋結構直徑方面遇到任何特殊困難，從而將科學思想快速轉化為商業產品。
伯明翰大學、布里斯託分校和科羅拉多大學博爾德分校的科學家們並沒有採用傳統的二進位表示法，即1 和0 代表斯格明子或沒有斯格明子，而是提出了一種組合渦流結構，他們稱之為「斯格明子袋」。 毫無疑問，一「袋」斯格明子比單一斯格明子更好。 袋子裡的斯格明子數量可以是任意的，這將允許你給它分配比0或1更多的值。這是增加記錄密度的直接方法。 在某種程度上，這類似於對 NAND 快閃記憶體單元的多層寫入。 無需再次提醒，在每個單元寫入三位的 NAND TLC 記憶體開始量產後，快閃磁碟機市場的擴張速度有多快。
英國科學家以抽像模型的形式展示了「斯格明子袋」的結構，並在模擬器程式中重現了這一現象。 他們的美國同事在實踐中重現了這種現象，儘管他們使用液晶而不是磁性結構來發射渦旋結構。 眾所周知，液晶是由磁場控制的，這使得它們可以用於分階段實驗以可視化磁現象。 我們正在等待將實驗轉移到磁性薄膜上。
來源： 3dnews.ru