台積電與台灣工業技術研究院 (ITRI) 的科學家一起展示了共同開發的 SOT-MRAM 記憶體。新的儲存設備設計用於記憶體計算並用作高級快取。新記憶體比 DRAM 速度更快，即使在關閉電源後也能保留數據，它旨在取代 STT-MRAM 內存，運行時功耗降低 100 倍。帶有 SOT-MRAM 晶片的實驗晶圓。圖片來源：台積電/工研院來源： 3dnews.ru
