據台灣業內人士透露， 網路資源 DigiTimes 報告稱，中國記憶體製造商長鑫儲存科技（CXMT）正在緊鑼密鼓地準備大規模生產 LPDDR4 記憶體的生產線。 ChangXin又名Innotron Memory，據稱已經採用19nm技術開發了自己的DRAM生產流程。
為了在其第一家 300 毫米工廠實現內存的商業化生產，長鑫必須 2019年上半年。可惜，這還沒發生。但隨著 8 Gbit DDR4 LPDDR4 晶片開始生產，產能將擴大到每月 20 萬片 300 奈米矽片。長鑫企業的生產線最大產能達到每月125萬片300毫米晶圓。但這也不是限制。該公司表示，將於明年開始建造第二家工廠，加工 300 毫米內存晶圓。
同時，這家中國製造商可能面臨另一種問題。讓我們回想一下，中國第一家即將開始量產DRAM記憶體的公司是福建晉華。 美國禁止向美國合作夥伴購買生產設備。在台灣，他們認為長興將面臨與福建同樣的問題。此外，它還從原日本爾必達台灣子公司（其業務被美國美光吸收）中招募了合格的工程師。分析人士預計，如果中方不做出回應，美光科技將針對長鑫提出索賠並實施制裁。
同時，長鑫正在開發一種生產 17 奈米標準記憶體的技術製程。預計開發將於 2021 年完成。長興第二工廠可能會開始生產符合這些標準的 DRAM 晶體。當然，除非美國的製裁和美光的陰謀成為她前進道路上不可逾越的障礙。
來源： 3dnews.ru