Ang mga memory module nga gitukod gamit ang Samsung B-die chips maingon nga usa sa pinakasikat nga kapilian sa mga mahiligon. Bisan pa, giisip kini sa tiggama sa South Korea nga karaan na ug karon gihunong na ang ilang produksiyon, nga nagtanyag og kapuli nga DDR4 memory chips nga gihimo gamit ang mas bag-ong mga proseso sa paggama. Kini nagpasabot nga ang lifecycle sa unbuffered DDR4 memory modules sa Samsung nga gibase sa B-die chips natapos na ug sa dili madugay ihunong na. Ang ubang mga tiggama nga naggamit sa Samsung B-die chips sa ilang mga produkto mohunong na usab sa pag-supply sa parehas nga mga module.
Ang mga Samsung B-die chips ug memory modules nga gibase niini nakakuha og kaylap nga pag-ila tungod sa ilang versatility ug overclocking potential. Kini hingpit nga mo-scale sa frequency, maayo nga motubag sa pagtaas sa boltahe, ug maka-operate sa grabe ka agresibo nga mga timing. Usa ka importanteng bentaha sa mga modules nga gibase sa Samsung B-die chips mao ang ilang ubos nga maintenance ug lapad nga compatibility sa lain-laing mga memory controllers, nga naghimo niini nga labi ka popular sa mga tag-iya sa mga sistema nga gibase sa Ryzen processors.
Apan, ang mga B-die chip gihimo gamit ang medyo karaan nga proseso nga 20nm, busa masabtan ang tinguha sa Samsung nga biyaan ang paghimo niining mga semiconductor device pabor sa mas modernong mga alternatibo. Bag-ohay lang gipahibalo sa kompanya ang pagsugod sa paghimo sa mga DDR4 SDRAM chip gamit ang 1z-nm (ikatulong henerasyon) nga teknolohiya, samtang ang mga chip nga gihimo gamit ang 1y-nm (ikaduhang henerasyon) nga teknolohiya gihimo na sulod sa kapin sa usa ka tuig ug tunga. Giawhag sa tiggama ang mga kustomer nga mobalhin niini nga mga teknolohiya. Bisan pa, ang mga B-die chip opisyal nga gitawag nga EOL (End of Life).
Ang mga bantogang B-die chips sa Samsung pulihan na karon sa ubang mga tanyag. Ang mga M-die chips, nga gihimo gamit ang 1y nm nga proseso, nakaabot na sa mass production. Ang mga A-die chips, nga gihimo gamit ang mas abante nga 1z nm nga proseso, nakaabot na usab sa qualification production. Kini nagpasabot nga ang memory nga gibase sa M-die chips mahimong magamit na sa dili madugay, ug ang mga module nga gitukod sa A-die chips mahimong magamit na sa mga tiggamit sulod sa unom ka bulan.
Ang pangunang bentaha sa bag-ong mga memory chip nga adunay gi-update nga mga core, dugang sa modernong mga teknolohiya sa proseso ug posibleng mas taas nga potensyal sa frequency, mao ang ilang dugang nga kapasidad. Gitugotan niini ang paghimo og single-sided DDR4 memory modules nga adunay kapasidad nga 16 GB ug double-sided modules nga adunay kapasidad nga 32 GB, nga kaniadto imposible.
Angayan nga matikdan nga karong ting-init, makadahom kita og dakong mga pagbag-o sa han-ay sa mga DDR4 SDRAM module nga anaa sa merkado. Gawas sa bag-ong mga Samsung chips, gilauman usab nga magsugod na paggamit ang mga memory module sa Micron's E-die ug SK Hynix's C-die chips. Lagmit nga kining tanan nga mga pagbag-o mosangpot sa pagtaas dili lamang sa average nga kapasidad apan lakip usab sa frequency potential sa average nga DDR4 SDRAM module.
Source: 3dnews.ru
