Nova tecnica di attaccu RowHammer nantu à a memoria DRAM

Google hà introduttu "Half-Double", una nova tecnica di attaccu RowHammer chì pò cambià u cuntenutu di i pezzi individuali di memoria dinamica d'accessu aleatoriu (DRAM). L'attaccu pò esse ripruduciutu nantu à certi chips DRAM muderni, chì i fabricatori anu ridutta a geometria di e cellule.

Ricurdativi chì l'attacchi di classi RowHammer permettenu di distorsioni u cuntenutu di i bits di memoria individuali da leghje ciclicamente dati da e cellule di memoria vicine. Siccomu a memoria DRAM hè una matrice bidimensionale di cellule, ognuna composta da un condensatore è un transistor, eseguisce letture cuntinue di a stessa regione di memoria si traduce in fluttuazioni di tensione è anomalie chì causanu una piccula perdita di carica in e cellule vicine. Se l'intensità di lettura hè abbastanza alta, allora a cellula vicina pò perde una quantità abbastanza grande di carica è u prossimu ciculu di regenerazione ùn hà micca tempu per restaurà u so statu uriginale, chì portarà à un cambiamentu di u valore di i dati guardati in u. cellula.

Per prutegge da RowHammer, i pruduttori di chip anu implementatu un mecanismu TRR (Target Row Refresh) chì prutegge da a corruzzione di e cellule in fila adiacente. U metudu Half-Double vi permette di scaccià sta prutezzione manipulendu chì e distorsioni ùn sò micca limitati à e linee adiacenti è si sparghje à l'altri linii di memoria, ancu s'ellu hè più minimu. L'ingegneri di Google anu dimustratu chì per e fila sequenziale di memoria "A", "B" è "C", hè pussibule attaccà a fila "C" cù un accessu assai pesante à a fila "A" è pocu attività chì afecta a fila "B". L'accessu à a fila "B" durante un attaccu attiva una fuga di carica non lineari è permette a fila "B" per esse usata cum'è trasportu per trasfiriri l'effettu Rowhammer da a fila "A" à "C".

Nova tecnica di attaccu RowHammer nantu à a memoria DRAM

A cuntrariu di l'attaccu TRRespass, chì manipula i difetti in diverse implementazioni di u mecanismu di prevenzione di corruzzione cellulare, l'attaccu Half-Double hè basatu annantu à e proprietà fisiche di u sustrato di siliciu. Half-Double mostra chì hè prubabile chì l'effetti chì portanu à Rowhammer sò una pruprietà di a distanza, invece di a contiguità diretta di e cellule. Quandu a geometria di a cellula in chips muderni diminuite, u raghju di influenza di distorsioni aumenta ancu. Hè pussibule chì l'effettu serà osservatu à una distanza di più di duie linee.

Hè nutatu chì, inseme cù l'associu JEDEC, parechji pruposti sò stati sviluppati analizendu modi pussibuli per bluccà tali attacchi. U metudu hè divulgatu perchè Google crede chì a ricerca allarga significativamente a nostra cunniscenza di u fenomenu Rowhammer è mette in risaltu l'impurtanza di circadori, chipmakers è altri attori chì travaglianu inseme per sviluppà una soluzione di sicurezza cumpleta à longu andà.

Source: opennet.ru

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