De ûntwikkeling fan harsensmodellen wurdt beheind troch it ûntbrekken fan in gaadlik ûnthâld dat sawol fluch, dicht as net-flechtich is. Foar kompjûters en smartphones is der ek net genôch ûnthâld mei ferlykbere eigenskippen. De ûntdekking fan Britske natuerkundigen belooft it ûntstean fan it needsaaklike universele ûnthâld tichterby te bringen.
Útfining natuerkundigen fan Lancaster University (UK). Werom yn juny ferline jier yn it tydskrift Nature se , wêryn't se praat oer de oplossing foar de paradoks fan universele ûnthâld, dy't de ynkompatibele kombinearje moat: de snelheid fan DRAM en de net-volatiliteit fan NAND.
It artikel fan juny detaillearre in ûnthâldsel dy't de kwantumeigenskippen fan in elektroan eksploitearret. Troch de weach aard fan dit dieltsje kin it troch in ferbeane barriêre. Om dit te dwaan, moat it elektroan in bepaalde hoemannichte "resonânsje" enerzjy hawwe. As in lyts potinsjeel fan maksimaal 2,6 V wurdt tapast op de sel ûntwikkele troch wittenskippers, elektroanen begjinne te tunnel troch in trije-laach barriêre makke fan indium arsenide en aluminium antimonide (InAs / AlSb) materialen. Under normale omstannichheden foarkomt dizze barriêre de trochgong fan elektroanen en hâldt se yn 'e sel sûnder stroomfoarsjenning, wêrtroch't de wearde dy't yn' e sel skreaun is, foar in lange tiid opslein wurde kin.
Yn it lêste jannewarisnûmer fan IEEE Transactions on Electron Devices, deselde ûndersikers dat se betroubere circuits koenen meitsje foar it lêzen fan gegevens fan sokke sellen en learden sellen te kombinearjen yn ûnthâldarrays. Underweis fûnen natuerkundigen dat de "skerpte fan oergongsbarriêres" de betingsten skept foar it meitsjen fan tige dichte arrays fan sellen. Ek tidens it simulaasjeproses foar de 20nm-prosestechnology waard it dúdlik dat de enerzjy-effisjinsje fan 'e foarstelde sellen 100 kear better koe wêze as dy fan DRAM-ûnthâld. Tagelyk is de wurksnelheid fan it nije ULTRARAM-ûnthâld, sa't wittenskippers it neame, te fergelykjen mei de snelheid fan DRAM en falt binnen 10 ns yn termen fan prestaasjes.
Op it stuit binne wittenskippers dwaande mei it ûntwerpen fan ULTRARAM-arrays en it oerdragen fan oplossingen nei silisium. It poadium fan it ûntwerpen fan logyske knopen foar it skriuwen en lêzen fan gegevens út sellen is ek begon. It is grappich dat wittenskippers al in hannelsmerk hawwe registrearre foar it nije ûnthâld (sjoch foto hjirboppe).
Boarne: 3dnews.ru
