ເປັນຫຍັງແຜ່ນຄວາມຮ້ອນຖ້າທ່ານມີຄອມພິວເຕີໂນດບຸກ: ການສຶກສາຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນໃນລະດັບປະລໍາມະນູ

gamers ຫຼາຍຄົນໃນທົ່ວໂລກທີ່ມີປະສົບການໃນຍຸກ Xbox 360 ມີຄວາມຄຸ້ນເຄີຍກັບສະຖານະການໃນເວລາທີ່ console ຂອງເຂົາເຈົ້າຫັນເຂົ້າໄປໃນແຊ່ frying ທີ່ເຂົາເຈົ້າສາມາດຈືນໄຂ່ໄດ້. ສະຖານະການທີ່ໂສກເສົ້າທີ່ຄ້າຍຄືກັນເກີດຂື້ນບໍ່ພຽງແຕ່ກັບເຄື່ອງຫຼີ້ນເກມເທົ່ານັ້ນ, ແຕ່ຍັງມີໂທລະສັບ, ແລັບທັອບ, ແທັບເລັດແລະອື່ນໆອີກ. ໃນຫຼັກການ, ເກືອບທຸກອຸປະກອນອີເລັກໂທຣນິກສາມາດປະສົບກັບອາການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ, ເຊິ່ງສາມາດເຮັດໃຫ້ບໍ່ພຽງແຕ່ຄວາມລົ້ມເຫຼວແລະຄວາມຜິດຫວັງຂອງເຈົ້າຂອງຂອງມັນ, ແຕ່ຍັງ "ແບດເຕີລີ່ທີ່ບໍ່ດີ" ແລະການບາດເຈັບທີ່ຮ້າຍແຮງ. ມື້ນີ້ພວກເຮົາຈະຮູ້ຈັກກັບການສຶກສາທີ່ນັກວິທະຍາສາດຈາກມະຫາວິທະຍາໄລ Stanford, ເຊັ່ນ Nick Fury ຈາກ comics, ໄດ້ສ້າງໄສ້ທີ່ປົກປ້ອງຊິ້ນສ່ວນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນຈາກຄວາມຮ້ອນເກີນໄປແລະ, ດັ່ງນັ້ນ, ປ້ອງກັນການແຕກຫັກຂອງພວກມັນ. ນັກວິທະຍາສາດໄດ້ຈັດການແນວໃດໃນການສ້າງເຄື່ອງປ້ອງກັນຄວາມຮ້ອນ, ອົງປະກອບຫຼັກຂອງມັນແມ່ນຫຍັງແລະມີປະສິດທິພາບແນວໃດ? ພວກເຮົາຮຽນຮູ້ກ່ຽວກັບເລື່ອງນີ້ແລະເພີ່ມເຕີມຈາກບົດລາຍງານຂອງກຸ່ມຄົ້ນຄ້ວາ. ໄປ.

ພື້ນຖານການຄົ້ນຄວ້າ

ບັນຫາຂອງຄວາມຮ້ອນເກີນແມ່ນເປັນທີ່ຮູ້ຈັກເປັນເວລາດົນນານ, ແລະນັກວິທະຍາສາດແກ້ໄຂມັນດ້ວຍຫຼາຍວິທີ. ບາງສ່ວນຂອງທີ່ນິຍົມຫຼາຍທີ່ສຸດແມ່ນການນໍາໃຊ້ແກ້ວ, ພາດສະຕິກແລະແມ້ກະທັ້ງຊັ້ນຂອງອາກາດ, ເຊິ່ງເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນປະເພດຂອງ insulators ຂອງ radiation ຄວາມຮ້ອນ. ໃນຄວາມເປັນຈິງທີ່ທັນສະໄຫມ, ວິທີການນີ້ສາມາດປັບປຸງໄດ້ໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນປ້ອງກັນໃຫ້ກັບຫຼາຍໆປະລໍາມະນູໂດຍບໍ່ມີການສູນເສຍຄຸນສົມບັດ insulation ຄວາມຮ້ອນຂອງມັນ. ນັ້ນແມ່ນສິ່ງທີ່ນັກຄົ້ນຄວ້າໄດ້ເຮັດ.

ພວກເຮົາ, ແນ່ນອນ, ເວົ້າກ່ຽວກັບ nanomaterials. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ການນໍາໃຊ້ຂອງເຂົາເຈົ້າໃນ insulation ຄວາມຮ້ອນກ່ອນຫນ້ານີ້ແມ່ນສັບສົນໂດຍຄວາມຈິງທີ່ວ່າ wavelength ຂອງ coolants (phonons*) ແມ່ນສັ້ນກວ່າຂອງເອເລັກໂຕຣນິກ ຫຼືໂຟຕອນ.

ໂພນ* - quasiparticle, ເຊິ່ງແມ່ນ quantum ຂອງການເຄື່ອນໄຫວ vibrational ຂອງປະລໍາມະນູໄປເຊຍກັນ.

ນອກຈາກນັ້ນ, ເນື່ອງຈາກລັກສະນະ bosonic ຂອງ phonons, ມັນເປັນໄປບໍ່ໄດ້ທີ່ຈະຄວບຄຸມພວກມັນໂດຍແຮງດັນ (ເຊັ່ນດຽວກັບຜູ້ຂົນສົ່ງທີ່ຮັບຜິດຊອບ), ເຊິ່ງໂດຍທົ່ວໄປເຮັດໃຫ້ມັນມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກໃນການຄວບຄຸມການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນໃນຂອງແຂງ.

ກ່ອນຫນ້ານີ້, ຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນຂອງຂອງແຂງ, ດັ່ງທີ່ນັກຄົ້ນຄວ້າເຕືອນພວກເຮົາ, ໄດ້ຖືກຄວບຄຸມໂດຍຜ່ານຮູບເງົາ nanolaminate ແລະ superlattices ເນື່ອງຈາກຄວາມຜິດປົກກະຕິຂອງໂຄງສ້າງແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ, ຫຼືໂດຍຜ່ານ nanowires ຊິລິຄອນແລະ germanium ເນື່ອງຈາກການກະແຈກກະຈາຍຂອງ phonon ທີ່ເຂັ້ມແຂງ.

ສໍາລັບວິທີການ insulation ຄວາມຮ້ອນຈໍານວນຫນຶ່ງທີ່ອະທິບາຍຂ້າງເທິງນີ້, ນັກວິທະຍາສາດມີຄວາມພ້ອມທີ່ຈະໃຫ້ເຫດຜົນຂອງວັດສະດຸສອງມິຕິລະດັບ, ຄວາມຫນາຂອງບໍ່ເກີນຫຼາຍປະລໍາມະນູ, ເຮັດໃຫ້ມັນງ່າຍທີ່ຈະຄວບຄຸມໃນລະດັບປະລໍາມະນູ. ໃນການສຶກສາຂອງພວກເຂົາພວກເຂົາໃຊ້ van der Waals (vdW) ການປະກອບຊັ້ນ 2D ທີ່ມີປະລໍາມະນູບາງໆເພື່ອບັນລຸຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນສູງຫຼາຍໃນທົ່ວ heterostructure ຂອງເຂົາເຈົ້າ.

ກຳ​ລັງ Van der Waals * - ປະຕິສໍາພັນລະຫວ່າງໂມເລກຸນ / interatomic ບັງຄັບດ້ວຍພະລັງງານ 10-20 kJ / mol.

ເຕັກນິກໃຫມ່ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະໄດ້ຮັບຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນໃນ heterostructure vdW ຫນາ 2 nm ທຽບກັບຊັ້ນ SiO2 (ຊິລິໂຄນ dioxide) ຫນາ 300 nm.

ນອກຈາກນັ້ນ, ການນໍາໃຊ້ໂຄງສ້າງ vdW heterostructures ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະໄດ້ຮັບການຄວບຄຸມຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນໃນລະດັບປະລໍາມະນູໂດຍຜ່ານການຊັ້ນຂອງ monolayers XNUMXD heterogeneous ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງປະລໍາມະນູທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະຮູບແບບການສັ່ນສະເທືອນ.

ດັ່ງນັ້ນ, ບໍ່ໃຫ້ດຶງຫົວຂອງແມວແລະໃຫ້ພວກເຮົາເລີ່ມຕົ້ນພິຈາລະນາຜົນໄດ້ຮັບຂອງການຄົ້ນຄວ້າທີ່ຫນ້າປະຫລາດໃຈນີ້.

ຜົນການຄົ້ນຄວ້າ

ກ່ອນອື່ນ ໝົດ, ໃຫ້ພວກເຮົາຮູ້ຈັກກັບຄຸນລັກສະນະທາງຈຸລະພາກແລະ optical ຂອງໂຄງສ້າງ vdW heterostructures ທີ່ໃຊ້ໃນການສຶກສານີ້.

ຮູບພາບ #1

ກ່ຽວກັບຮູບພາບ 1 ສະ​ແດງ​ໃຫ້​ເຫັນ​ແຜນ​ວາດ​ພາກ​ສ່ວນ​ຂອງ heterostructure ສີ່​ຊັ້ນ​ປະ​ກອບ​ດ້ວຍ (ຈາກ​ເທິງ​ຫາ​ລຸ່ມ​ສຸດ​)​: graphene (Gr​)​, MoSe2​, MoS2​, WSe22 ແລະ substrate SiO2 / Si​. ເພື່ອສະແກນທຸກຊັ້ນຂໍ້ມູນພ້ອມກັນ, ໃຫ້ໃຊ້ ເລເຊີ Raman* ມີຄວາມຍາວຄື່ນ 532 nm.

ເລເຊີ Raman* - ປະເພດຂອງເລເຊີທີ່ກົນໄກຕົ້ນຕໍຂອງການຂະຫຍາຍແສງສະຫວ່າງແມ່ນການກະແຈກກະຈາຍ Raman.

Raman ກະແຈກກະຈາຍ, ໃນທາງກັບກັນ, ແມ່ນການກະແຈກກະຈາຍ inelastic ຂອງລັງສີ optical ໃນໂມເລກຸນຂອງສານ, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍການປ່ຽນແປງທີ່ສໍາຄັນໃນຄວາມຖີ່ຂອງລັງສີ.

ວິທີການຈໍານວນຫນຶ່ງໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຢືນຢັນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງໂຄງສ້າງຈຸລະພາກ, ຄວາມຮ້ອນແລະໄຟຟ້າຂອງ heterostructures: ການສະແກນກ້ອງຈຸລະທັດເອເລັກໂຕຣນິກການສົ່ງຜ່ານ (STEM), photoluminescence spectroscopy (PL), Kelvin probe microscopy (KPM), ການສະແກນກ້ອງຈຸລະທັດຄວາມຮ້ອນ (SThM), ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ Raman spectroscopy ແລະ. ອຸນຫະພູມ.

Image Image 1b ສະແດງໃຫ້ພວກເຮົາເຫັນ spectrum Raman ຂອງໂຄງສ້າງ heterostructure Gr/MoSe2/MoS2/WSe22 ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ SiO2/Si ຢູ່ທີ່ສະຖານທີ່ໝາຍດ້ວຍຈຸດສີແດງ. ດິນຕອນນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນລາຍເຊັນຂອງແຕ່ລະ monolayer ໃນ layer array, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບລາຍເຊັນຂອງ substrate Si.

ກ່ຽວກັບ 1c-1f ຮູບພາບ STEM ພາກສະຫນາມມືດຂອງໂຄງສ້າງ heterostructure Gr/MoSe2/MoS2/WSe22 ຖືກສະແດງ (1) ແລະ Gr/MoS2/WSe22 heterostructures (1d-1f) ທີ່ມີທິດທາງເສັ້ນດ່າງທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ຮູບພາບ STEM ສະແດງໃຫ້ເຫັນຊ່ອງຫວ່າງ vdW ປິດປະລໍາມະນູໂດຍບໍ່ມີການປົນເປື້ອນໃດໆ, ອະນຸຍາດໃຫ້ຄວາມຫນາທັງຫມົດຂອງ heterostructures ເຫຼົ່ານີ້ສາມາດເຫັນໄດ້ຢ່າງເຕັມສ່ວນ. ການມີຕົວປະສານຂອງ interlayer ຍັງໄດ້ຮັບການຢືນຢັນໃນໄລຍະການສະແກນຂະຫນາດໃຫຍ່ໂດຍໃຊ້ photoluminescence (PL) spectroscopy (1g). ສັນຍານ photoluminescent ຂອງແຕ່ລະຊັ້ນພາຍໃນ heterostructure ໄດ້ຖືກສະກັດກັ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍເມື່ອທຽບກັບສັນຍານຂອງ monolayer ທີ່ໂດດດ່ຽວ. ນີ້ແມ່ນອະທິບາຍໂດຍຂະບວນການຂອງການໂອນຄ່າ interlayer ເນື່ອງຈາກການໂຕ້ຕອບ interlayer ໃກ້ຊິດ, ເຊິ່ງຈະກາຍເປັນທີ່ເຂັ້ມແຂງຫຼັງຈາກ annealing.

ຮູບພາບ #2

ເພື່ອວັດແທກການໄຫຼຂອງຄວາມຮ້ອນ perpendicular ກັບຍົນປະລໍາມະນູຂອງ heterostructure, array ຂອງຊັ້ນໄດ້ຖືກໂຄງສ້າງໃນຮູບແບບຂອງອຸປະກອນໄຟຟ້າສີ່ probe. ຊັ້ນເທິງຂອງ graphene ຕິດຕໍ່ກັບ electrodes palladium (Pd) ແລະຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນສໍາລັບການວັດແທກ thermometry Raman.

ວິທີການເຮັດຄວາມຮ້ອນໄຟຟ້ານີ້ໃຫ້ປະລິມານທີ່ຊັດເຈນຂອງພະລັງງານຂາເຂົ້າ. ວິທີການເຮັດຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນໄປໄດ້ອີກອັນຫນຶ່ງ, optical, ຈະມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກຫຼາຍທີ່ຈະປະຕິບັດເນື່ອງຈາກຄວາມບໍ່ເຂົ້າໃຈຂອງຄ່າສໍາປະສິດການດູດຊຶມຂອງແຕ່ລະຊັ້ນ.

ກ່ຽວກັບ 2 ສະແດງໃຫ້ເຫັນວົງຈອນການວັດແທກສີ່ probe, ແລະ 2b ສະແດງໃຫ້ເຫັນມຸມເບິ່ງດ້ານເທິງຂອງໂຄງສ້າງທີ່ຖືກທົດສອບ. ຕາຕະລາງ 2 ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄຸນລັກສະນະການຖ່າຍທອດຄວາມຮ້ອນທີ່ວັດແທກໄດ້ສໍາລັບສາມອຸປະກອນ, ອັນຫນຶ່ງມີພຽງແຕ່ graphene ແລະສອງອັນປະກອບດ້ວຍຊັ້ນ Gr/WSe22 ແລະ Gr/MoSe2/WSe22. ຕົວແປທັງຫມົດສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງພຶດຕິກໍາທີ່ບໍ່ຊ້ໍາກັນຂອງ graphene, ເຊິ່ງກ່ຽວຂ້ອງກັບການບໍ່ມີຊ່ອງຫວ່າງຂອງແຖບ.

ມັນຍັງໄດ້ພົບເຫັນວ່າການນໍາແລະຄວາມຮ້ອນໃນປະຈຸບັນເກີດຂຶ້ນໃນຊັ້ນເທິງ (graphene), ເນື່ອງຈາກວ່າການນໍາໄຟຟ້າຂອງມັນແມ່ນຄໍາສັ່ງຫຼາຍຂະຫນາດທີ່ສູງກວ່າ MoS2 ແລະ WSe22.

ເພື່ອສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງອຸປະກອນທີ່ທົດສອບ, ການວັດແທກໄດ້ຖືກປະຕິບັດໂດຍໃຊ້ກ້ອງຈຸລະທັດ Kelvin probe (KPM) ແລະການສະແກນກ້ອງຈຸລະທັດຄວາມຮ້ອນ (SThM). ຢູ່ໃນຕາຕະລາງ 2d ການວັດແທກ KPM ໄດ້ຖືກສະແດງໂດຍເປີດເຜີຍການແຈກຢາຍທ່າແຮງເສັ້ນຊື່. ຜົນໄດ້ຮັບຂອງການວິເຄາະ SThM ແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນ 2s. ໃນທີ່ນີ້ພວກເຮົາເຫັນແຜນທີ່ຂອງຊ່ອງ Gr/MoS2/WSe22 ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນດ້ວຍໄຟຟ້າ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບຄວາມເປັນເອກະພາບໃນການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນດ້ານຫນ້າ.

ເຕັກນິກການສະແກນທີ່ອະທິບາຍຂ້າງເທິງ, ໂດຍສະເພາະ SthM, ໄດ້ຢືນຢັນຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງໂຄງສ້າງທີ່ກໍາລັງສຶກສາ, ນັ້ນແມ່ນ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງມັນ, ໃນແງ່ຂອງອຸນຫະພູມ. ຂັ້ນ​ຕອນ​ຕໍ່​ໄປ​ແມ່ນ​ການ​ປະ​ລິ​ມານ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ຂອງ​ແຕ່​ລະ​ຊັ້ນ​ປະ​ກອບ​ດ້ວຍ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້ Raman spectroscopy (i.e., Raman spectroscopy​)​.

ອຸປະກອນທັງສາມໄດ້ຖືກທົດສອບ, ແຕ່ລະຄົນມີພື້ນທີ່ ~ 40 µm2. ໃນກໍລະນີນີ້, ພະລັງງານຂອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນໄດ້ປ່ຽນແປງໂດຍ 9 mW, ແລະພະລັງງານເລເຊີທີ່ຖືກດູດຊຶມແມ່ນຕ່ໍາກວ່າ ~ 5 μW, ມີພື້ນທີ່ຈຸດ laser ຂອງ ~ 0.5 μm2.

ຮູບພາບ #3

ຢູ່ໃນຕາຕະລາງ 3 ການເພີ່ມຂື້ນຂອງອຸນຫະພູມ (∆T) ຂອງແຕ່ລະຊັ້ນແລະຊັ້ນຍ່ອຍແມ່ນເຫັນໄດ້ຍ້ອນວ່າພະລັງງານຂອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນໃນໂຄງສ້າງ heterostructure Gr/MoS2/WSe22 ເພີ່ມຂຶ້ນ.

ເປີ້ນພູຂອງຟັງຊັນເສັ້ນຊື່ສຳລັບແຕ່ລະວັດສະດຸ (ຊັ້ນ) ສະແດງເຖິງຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ (Rth=∆T/P) ລະຫວ່າງຊັ້ນແຕ່ລະຊັ້ນ ແລະຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນ. ເນື່ອງຈາກການແຜ່ກະຈາຍຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ເປັນເອກະພາບໃນທົ່ວພື້ນທີ່, ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນສາມາດວິເຄາະໄດ້ງ່າຍຈາກຊັ້ນລຸ່ມໄປຫາຊັ້ນເທິງ, ໃນໄລຍະທີ່ຄ່າຂອງພວກມັນຖືກເຮັດໃຫ້ປົກກະຕິໂດຍພື້ນທີ່ຊ່ອງທາງ (WL).

L ແລະ W ແມ່ນຄວາມຍາວແລະຄວາມກວ້າງຂອງຊ່ອງທາງ, ເຊິ່ງສູງກວ່າຄວາມຫນາຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນ SiO2 ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະຄວາມຍາວຂອງຄວາມຮ້ອນດ້ານຂ້າງ, ເຊິ່ງແມ່ນ ~ 0.1 μm.

ດັ່ງນັ້ນ, ພວກເຮົາສາມາດເອົາສູດສໍາລັບຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງ substrate Si, ເຊິ່ງຈະມີລັກສະນະນີ້:

Rth,Si ≈ (WL)1/2 / (2kSi)

ໃນສະຖານະການນີ້ kSi ≈ 90 W m−1 K−1, ເຊິ່ງເປັນການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ຄາດໄວ້ຂອງ substrate ທີ່ doped ສູງດັ່ງກ່າວ.

ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ Rth, WSe2 ແລະ Rth, Si ແມ່ນຜົນລວມຂອງການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນຂອງ SiO2 ຫນາ 100 nm ແລະຄວາມຕ້ານທານຊາຍແດນຄວາມຮ້ອນ (TBR) ຂອງການໂຕ້ຕອບ WSe2 / SiO2.

ເອົາລັກສະນະຂ້າງເທິງທັງຫມົດຮ່ວມກັນ, ພວກເຮົາສາມາດສ້າງຕັ້ງວ່າ Rth, MoS2 − Rth, Wse2 = TBRMoS2/WSe2, ແລະ Rth, Gr − Rth, MoS2 = TBRGr/MoS2. ດັ່ງນັ້ນ, ຈາກເສັ້ນສະແດງ 3 ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະສະກັດຄ່າ TBR ສໍາລັບແຕ່ລະສ່ວນຕິດຕໍ່ WSe2/SiO2, MoS2/WSe2 ແລະ Gr/MoS2.

ຕໍ່ໄປ, ນັກວິທະຍາສາດໄດ້ປຽບທຽບຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທັງຫມົດຂອງໂຄງສ້າງ heterostructures, ການວັດແທກໂດຍໃຊ້ Raman spectroscopy ແລະກ້ອງຈຸລະທັດຄວາມຮ້ອນ (3b).

ໂຄງສ້າງຂອງທໍ່ bilayer ແລະ trilayer ໃນ SiO2 ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ມີປະສິດຕິຜົນໃນລະດັບ 220 ຫາ 280 m2 K/GW ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ, ເຊິ່ງທຽບເທົ່າກັບຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງ SiO2 ທີ່ມີຄວາມຫນາ 290 ຫາ 360 nm. ເຖິງວ່າຈະມີຄວາມຈິງທີ່ວ່າຄວາມຫນາຂອງ heterostructures ພາຍໃຕ້ການສຶກສາບໍ່ເກີນ 2 nm (1d-1f), ການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງພວກມັນແມ່ນ 0.007-0.009 W m−1 K−1 ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ.

ຮູບພາບ #4

ຮູບພາບ 4 ສະແດງໃຫ້ເຫັນການວັດແທກຂອງໂຄງສ້າງທັງສີ່ແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງຂອບເຂດຊາຍແດນ (TBC) ຂອງການໂຕ້ຕອບຂອງພວກມັນ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ພວກເຮົາສາມາດປະເມີນລະດັບອິດທິພົນຂອງແຕ່ລະຊັ້ນກ່ຽວກັບການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນທີ່ວັດແທກກ່ອນຫນ້ານີ້ (TBC = 1 / TBR).

ນັກຄົ້ນຄວ້າສັງເກດເຫັນວ່ານີ້ແມ່ນການວັດແທກ TBC ຄັ້ງທໍາອິດສໍາລັບການໂຕ້ຕອບທີ່ໃກ້ຊິດຂອງປະລໍາມະນູລະຫວ່າງ monolayers ແຍກຕ່າງຫາກ (2D / 2D), ໂດຍສະເພາະລະຫວ່າງ monolayers WSe2 ແລະ SiO2.

TBC ຂອງອິນເຕີເຟດ WSe2/SiO2 monolayer ແມ່ນຕໍ່າກວ່າຂອງ multilayer WSe2/SiO2 interface, ເຊິ່ງບໍ່ແປກໃຈເລີຍເພາະວ່າ monolayer ມີໂຫມດ phonon ໂຄ້ງຫນ້ອຍລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍທີ່ມີຢູ່ສໍາລັບການຖ່າຍທອດ. ເວົ້າງ່າຍໆ, TBC ຂອງການໂຕ້ຕອບລະຫວ່າງຊັ້ນ 2D ແມ່ນຕ່ໍາກວ່າ TBC ຂອງການໂຕ້ຕອບລະຫວ່າງຊັ້ນ 2D ແລະຊັ້ນຍ່ອຍ 3D SiO2 (4b).

ສໍາລັບການຮູ້ຈັກລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມກັບ nuances ຂອງການສຶກສາ, ຂ້າພະເຈົ້າແນະນໍາໃຫ້ເບິ່ງ ນັກວິທະຍາສາດລາຍງານ и ວັດສະດຸເພີ່ມເຕີມ ກັບເຂົາ.

Epilogue

ການຄົ້ນຄວ້ານີ້, ດັ່ງທີ່ນັກວິທະຍາສາດເອງອ້າງ, ເຮັດໃຫ້ພວກເຮົາມີຄວາມຮູ້ທີ່ສາມາດນໍາໃຊ້ໃນການປະຕິບັດການໂຕ້ຕອບຄວາມຮ້ອນຂອງປະລໍາມະນູ. ວຽກງານນີ້ໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງການສ້າງ metamaterials insulating ຄວາມຮ້ອນທີ່ຄຸນສົມບັດບໍ່ໄດ້ພົບເຫັນຢູ່ໃນທໍາມະຊາດ. ນອກຈາກນັ້ນ, ການສຶກສາຍັງໄດ້ຢືນຢັນເຖິງຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງການປະຕິບັດການວັດແທກອຸນຫະພູມທີ່ຊັດເຈນຂອງໂຄງສ້າງດັ່ງກ່າວ, ເຖິງວ່າຈະມີຂະຫນາດປະລໍາມະນູຂອງຊັ້ນ.

ໂຄງສ້າງ heterostructures ທີ່ອະທິບາຍຂ້າງເທິງສາມາດກາຍເປັນພື້ນຖານສໍາລັບ "ໄສ້" ທີ່ມີແສງສະຫວ່າງແລະຫນາແຫນ້ນ, ມີຄວາມສາມາດ, ສໍາລັບການຍົກຕົວຢ່າງ, ກໍາຈັດຄວາມຮ້ອນຈາກຈຸດຮ້ອນໃນເອເລັກໂຕຣນິກ. ນອກຈາກນັ້ນ, ເທກໂນໂລຍີນີ້ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນເຄື່ອງກໍາເນີດໄຟຟ້າ thermoelectric ຫຼືອຸປະກອນຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນ, ເພີ່ມທະວີການປະຕິບັດຂອງເຂົາເຈົ້າ.

ການສຶກສານີ້ຢືນຢັນອີກເທື່ອ ໜຶ່ງ ວ່າວິທະຍາສາດຍຸກສະ ໄໝ ໃໝ່ ສົນໃຈຢ່າງຈິງຈັງໃນຫຼັກການ "ປະສິດທິພາບໃນກະແຈ," ເຊິ່ງບໍ່ສາມາດເອີ້ນວ່າເປັນຄວາມຄິດທີ່ໂງ່ຈ້າ, ເນື່ອງຈາກຊັບພະຍາກອນທີ່ຈໍາກັດຂອງໂລກແລະການຂະຫຍາຍຕົວຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບການປະດິດສ້າງເຕັກໂນໂລຢີທຸກປະເພດ.

ຂໍ​ຂອບ​ໃຈ​ທ່ານ​ສໍາ​ລັບ​ຄວາມ​ສົນ​ໃຈ​ຂອງ​ທ່ານ​, ຢູ່ curious ແລະ​ມີ​ອາ​ທິດ​ທີ່​ຍິ່ງ​ໃຫຍ່​ທຸກ​ຄົນ​! 🙂

ຂອບໃຈສໍາລັບການຢູ່ກັບພວກເຮົາ. ເຈົ້າມັກບົດຄວາມຂອງພວກເຮົາບໍ? ຕ້ອງການເບິ່ງເນື້ອຫາທີ່ຫນ້າສົນໃຈຫຼາຍບໍ? ສະຫນັບສະຫນູນພວກເຮົາໂດຍການວາງຄໍາສັ່ງຫຼືແນະນໍາໃຫ້ຫມູ່ເພື່ອນ, ສ່ວນຫຼຸດ 30% ສໍາລັບຜູ້ໃຊ້ Habr ໃນການປຽບທຽບທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງເຊີບເວີລະດັບເຂົ້າ, ເຊິ່ງຖືກປະດິດໂດຍພວກເຮົາສໍາລັບທ່ານ: ຄວາມຈິງທັງໝົດກ່ຽວກັບ VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps ຈາກ $20 ຫຼືວິທີການແບ່ງປັນເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍ? (ສາມາດໃຊ້ໄດ້ກັບ RAID1 ແລະ RAID10, ສູງສຸດ 24 cores ແລະສູງສຸດ 40GB DDR4).

Dell R730xd ລາຄາຖືກກວ່າ 2 ເທົ່າ? ທີ່ນີ້ເທົ່ານັ້ນ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 TV ຈາກ $199 ໃນປະເທດເນເທີແລນ! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - ຈາກ $99! ອ່ານກ່ຽວກັບ ວິທີການສ້າງໂຄງສ້າງພື້ນຖານຂອງບໍລິສັດ. ຫ້ອງຮຽນທີ່ມີການນໍາໃຊ້ເຄື່ອງແມ່ຂ່າຍຂອງ Dell R730xd E5-2650 v4 ມູນຄ່າ 9000 ເອີໂຣສໍາລັບເງິນບໍ?

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: www.habr.com