सॅमसंगने ट्रान्झिस्टरबद्दल सांगितले जे FinFET ची जागा घेईल

बर्‍याच वेळा नोंदवल्याप्रमाणे, 5 nm पेक्षा लहान ट्रान्झिस्टरसह काहीतरी करणे आवश्यक आहे. आज, चिप उत्पादक उभ्या FinFET गेट्सचा वापर करून सर्वात प्रगत समाधाने तयार करत आहेत. FinFET ट्रान्झिस्टर अजूनही 5-nm आणि 4-nm तांत्रिक प्रक्रिया वापरून तयार केले जाऊ शकतात (या मानकांचा अर्थ काहीही असो), परंतु आधीच 3-nm सेमीकंडक्टरच्या उत्पादनाच्या टप्प्यावर, FinFET संरचना जसे पाहिजे तसे कार्य करणे थांबवते. ट्रान्झिस्टरचे दरवाजे खूप लहान आहेत आणि ट्रान्झिस्टर एकात्मिक सर्किट्समध्ये गेट्स म्हणून त्यांचे कार्य करणे सुरू ठेवण्यासाठी नियंत्रण व्होल्टेज पुरेसे कमी नाही. म्हणून, उद्योग आणि विशेषतः, सॅमसंग, 3nm प्रक्रिया तंत्रज्ञानापासून सुरू होणारे, रिंग किंवा सर्व-समावेशक GAA (गेट-ऑल-अराउंड) गेट्ससह ट्रान्झिस्टरच्या उत्पादनाकडे स्विच करेल. अलीकडील प्रेस रीलिझसह, सॅमसंगने नुकतेच नवीन ट्रान्झिस्टरची रचना आणि ते वापरण्याचे फायदे याबद्दल व्हिज्युअल इन्फोग्राफिक सादर केले.

वरील चित्रात दाखवल्याप्रमाणे, उत्पादन मानके घसरत गेल्याने, गेट्स प्लॅनर स्ट्रक्चर्समधून विकसित झाले आहेत जे गेटच्या खाली एक क्षेत्र नियंत्रित करू शकतात, तीन बाजूंनी गेटने वेढलेल्या उभ्या चॅनेलपर्यंत आणि शेवटी गेट्सने वेढलेल्या चॅनेलच्या जवळ जात आहेत. सर्व चार बाजू. हा संपूर्ण मार्ग नियंत्रित चॅनेलच्या सभोवतालच्या गेटच्या क्षेत्रामध्ये वाढीसह होता, ज्यामुळे ट्रान्झिस्टरच्या वर्तमान वैशिष्ट्यांशी तडजोड न करता ट्रान्झिस्टरला वीज पुरवठा कमी करणे शक्य झाले, त्यामुळे ट्रान्झिस्टरच्या कार्यक्षमतेत वाढ झाली. आणि गळती प्रवाहात घट. या संदर्भात, GAA ट्रान्झिस्टर निर्मितीचा एक नवीन मुकुट बनतील आणि शास्त्रीय CMOS तांत्रिक प्रक्रियांचे महत्त्वपूर्ण पुनर्कार्य करण्याची आवश्यकता नाही.

गेटच्या सभोवतालच्या वाहिन्या पातळ पुलांच्या (नॅनोवायर) स्वरूपात किंवा रुंद पुलांच्या किंवा नॅनोपेजेसच्या स्वरूपात तयार केल्या जाऊ शकतात. सॅमसंगने नॅनोपेजेसच्या बाजूने आपली निवड जाहीर केली आणि पेटंटसह त्याच्या विकासाचे संरक्षण करण्याचा दावा केला, जरी त्याने या सर्व संरचना विकसित केल्या तरीही IBM आणि इतर कंपन्यांशी युती केली, उदाहरणार्थ, AMD सह. सॅमसंग नवीन ट्रान्झिस्टरला GAA म्हणणार नाही, परंतु मालकीचे नाव MBCFET (मल्टी ब्रिज चॅनल FET). विस्तृत चॅनेल पृष्ठे महत्त्वपूर्ण प्रवाह प्रदान करतील, जे नॅनोवायर चॅनेलच्या बाबतीत प्राप्त करणे कठीण आहे.

रिंग गेट्समध्ये संक्रमण नवीन ट्रान्झिस्टर संरचनांची ऊर्जा कार्यक्षमता देखील सुधारेल. याचा अर्थ ट्रान्झिस्टरचा पुरवठा व्होल्टेज कमी केला जाऊ शकतो. FinFET संरचनांसाठी, कंपनी कंडिशनल पॉवर रिडक्शन थ्रेशोल्ड 0,75 V म्हणते. MBCFET ट्रान्झिस्टरमध्ये संक्रमण ही मर्यादा आणखी कमी करेल.

कंपनी MBCFET ट्रान्झिस्टरचा पुढील फायदा म्हणजे सोल्यूशन्सची असाधारण लवचिकता म्हणते. तर, उत्पादनाच्या टप्प्यावर FinFET ट्रान्झिस्टरची वैशिष्ट्ये केवळ काटेकोरपणे नियंत्रित केली जाऊ शकतात, प्रत्येक ट्रान्झिस्टरसाठी प्रकल्पामध्ये ठराविक कडा टाकून, MBCFET ट्रान्झिस्टरसह सर्किट्स डिझाइन करणे प्रत्येक प्रकल्पासाठी उत्कृष्ट ट्यूनिंगसारखे असेल. आणि हे करणे खूप सोपे आहे: नॅनोपेज चॅनेलची आवश्यक रुंदी निवडण्यासाठी ते पुरेसे असेल आणि हे पॅरामीटर रेखीय बदलले जाऊ शकते.

MBCFET ट्रान्झिस्टरच्या उत्पादनासाठी, वर नमूद केल्याप्रमाणे, कारखान्यांमध्ये स्थापित क्लासिक CMOS प्रक्रिया तंत्रज्ञान आणि औद्योगिक उपकरणे महत्त्वपूर्ण बदलांशिवाय योग्य आहेत. केवळ सिलिकॉन वेफर्सच्या प्रक्रियेच्या टप्प्यात किरकोळ बदल आवश्यक आहेत, जे समजण्यासारखे आहे आणि इतकेच. संपर्क गट आणि मेटलायझेशन स्तरांच्या भागावर, आपल्याला काहीही बदलण्याची आवश्यकता नाही.

शेवटी, सॅमसंग प्रथमच 3nm प्रक्रिया तंत्रज्ञान आणि MBCFET ट्रान्झिस्टरमध्ये होणार्‍या सुधारणांचे गुणात्मक वर्णन देते (स्पष्ट करण्यासाठी, सॅमसंग थेट 3nm प्रक्रिया तंत्रज्ञानाबद्दल बोलत नाही, परंतु यापूर्वी अहवाल दिला होता की 4nm प्रक्रिया तंत्रज्ञान अद्याप FinFET ट्रान्झिस्टर वापरेल). त्यामुळे, 7nm FinFET प्रक्रिया तंत्रज्ञानाच्या तुलनेत, नवीन मानक आणि MBCFET कडे जाण्यामुळे वापरामध्ये 50% कपात, कार्यक्षमतेत 30% वाढ आणि चिप क्षेत्रामध्ये 45% कपात होईल. "एकतर, किंवा" नाही, परंतु संपूर्णपणे. हे कधी होणार? 2021 च्या अखेरीस असे होऊ शकते.

स्त्रोत: 3dnews.ru