Everspin ਅਤੇ GlobalFoundries ਨੇ ਆਪਣੇ MRAM ਸੰਯੁਕਤ ਵਿਕਾਸ ਸਮਝੌਤੇ ਨੂੰ 12nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਤੱਕ ਵਧਾ ਦਿੱਤਾ ਹੈ

ਡਿਸਕਰੀਟ ਮੈਗਨੇਟੋਰੇਸਿਸਟਿਵ MRAM ਮੈਮੋਰੀ ਚਿਪਸ, ਈਵਰਸਪਿਨ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀਜ਼ ਦਾ ਵਿਸ਼ਵ ਦਾ ਇੱਕੋ ਇੱਕ ਡਿਵੈਲਪਰ, ਉਤਪਾਦਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨਾ ਜਾਰੀ ਰੱਖਦਾ ਹੈ। ਅੱਜ ਈਵਰਸਪਿਨ ਅਤੇ ਗਲੋਬਲ ਫਾਊਂਡਰੀਜ਼ ਸਹਿਮਤ ਹੋ ਗਏ ਹਨ ਇਕੱਠੇ 12 nm ਮਿਆਰਾਂ ਅਤੇ FinFET ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੇ ਨਾਲ STT-MRAM ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਰਕਿਟਸ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿਕਸਿਤ ਕਰਨ ਲਈ।

Everspin ਕੋਲ MRAM ਮੈਮੋਰੀ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ 650 ਤੋਂ ਵੱਧ ਪੇਟੈਂਟ ਅਤੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਹਨ। ਇਹ ਮੈਮੋਰੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੇ ਸੈੱਲ ਨੂੰ ਲਿਖਣਾ ਹਾਰਡ ਡਿਸਕ ਦੀ ਚੁੰਬਕੀ ਪਲੇਟ 'ਤੇ ਜਾਣਕਾਰੀ ਲਿਖਣ ਦੇ ਸਮਾਨ ਹੈ। ਕੇਵਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਰਕਿਟਸ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ ਹਰੇਕ ਸੈੱਲ ਦਾ ਆਪਣਾ (ਸ਼ਰਤ ਅਨੁਸਾਰ) ਚੁੰਬਕੀ ਸਿਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। STT-MRAM ਮੈਮੋਰੀ ਜਿਸਨੇ ਇਸਨੂੰ ਬਦਲਿਆ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਸਪਿਨ ਮੋਮੈਂਟਮ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ, ਘੱਟ ਊਰਜਾ ਲਾਗਤਾਂ ਨਾਲ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਇਹ ਲਿਖਣ ਅਤੇ ਪੜ੍ਹਨ ਦੇ ਢੰਗਾਂ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਕਰੰਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਸ਼ੁਰੂ ਵਿੱਚ, Everspin ਦੁਆਰਾ ਆਰਡਰ ਕੀਤੀ MRAM ਮੈਮੋਰੀ NXP ਦੁਆਰਾ ਸੰਯੁਕਤ ਰਾਜ ਅਮਰੀਕਾ ਵਿੱਚ ਇਸਦੇ ਪਲਾਂਟ ਵਿੱਚ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। 2014 ਵਿੱਚ, ਈਵਰਸਪਿਨ ਨੇ ਗਲੋਬਲਫਾਊਂਡਰੀਜ਼ ਨਾਲ ਇੱਕ ਸੰਯੁਕਤ ਕੰਮ ਸਮਝੌਤਾ ਕੀਤਾ। ਇਕੱਠੇ ਮਿਲ ਕੇ, ਉਹਨਾਂ ਨੇ ਹੋਰ ਉੱਨਤ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੱਖਰੇ ਅਤੇ ਏਮਬੇਡਡ MRAM (STT-MRAM) ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਕਰਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕੀਤਾ।

ਸਮੇਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਗਲੋਬਲਫਾਊਂਡਰੀਜ਼ ਸੁਵਿਧਾਵਾਂ ਨੇ 40-nm ਅਤੇ 28-nm STT-MRAM ਚਿਪਸ (ਇੱਕ ਨਵੇਂ ਉਤਪਾਦ - ਇੱਕ 1-Gbit ਡਿਸਕ੍ਰਿਟ STT-MRAM ਚਿੱਪ ਦੇ ਨਾਲ ਸਮਾਪਤ) ਦਾ ਉਤਪਾਦਨ ਸ਼ੁਰੂ ਕੀਤਾ, ਅਤੇ STT- ਨੂੰ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰਨ ਲਈ 22FDX ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵੀ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ। MRAM FD-SOI ਵੇਫਰਾਂ 'ਤੇ 22-nm nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਕੰਟਰੋਲਰਾਂ ਵਿੱਚ ਐਰੇ ਕਰਦਾ ਹੈ। Everspin ਅਤੇ GlobalFoundries ਵਿਚਕਾਰ ਨਵਾਂ ਸਮਝੌਤਾ STT-MRAM ਚਿੱਪਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਨੂੰ 12-nm ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲ ਕਰਨ ਦੀ ਅਗਵਾਈ ਕਰੇਗਾ।

MRAM ਮੈਮੋਰੀ SRAM ਮੈਮੋਰੀ ਦੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਨੇੜੇ ਆ ਰਹੀ ਹੈ ਅਤੇ ਸੰਭਾਵੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਸ ਨੂੰ ਇੰਟਰਨੈੱਟ ਆਫ਼ ਥਿੰਗਜ਼ ਲਈ ਕੰਟਰੋਲਰਾਂ ਵਿੱਚ ਬਦਲ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਇਹ ਗੈਰ-ਅਸਥਿਰ ਹੈ ਅਤੇ ਰਵਾਇਤੀ NAND ਮੈਮੋਰੀ ਨਾਲੋਂ ਪਹਿਨਣ ਲਈ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਰੋਧਕ ਹੈ। 12 nm ਮਿਆਰਾਂ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ MRAM ਦੀ ਰਿਕਾਰਡਿੰਗ ਘਣਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਏਗੀ, ਅਤੇ ਇਹ ਇਸਦੀ ਮੁੱਖ ਕਮੀ ਹੈ।

ਸਰੋਤ: 3dnews.ru