Niedawno podczas siódmych targów China Electronic Information Expo (CITE2019) w Shenzhen na stoisku Tsinghua Unigroup zaprezentowano pierwszy dysk półprzewodnikowy SSD P8260, złożony wyłącznie z chińskich komponentów. Jest to dysk SSD klasy serwerowej, w którym kontroler, bufor DRAM i macierz 3D NAND zostały zaprojektowane i wyprodukowane w Chinach. Cóż, Chiny zrobiły kolejny krok i liczą, że pójdą tą drogą do całkowitego uniezależnienia się od pamięci o zagranicznej produkcji.
Każdy, kto śledzi doniesienia o rozwoju i produkcji pamięci 3D NAND w Chinach, wie, że produkcją układów pamięci flash zajmuje się spółka joint venture z Tsinghua, Yangtze River Storage Technology (YMTC). W dyskach P8260 zastosowano pierwsze 32-warstwowe produkty 3D NAND YMTC o pojemności 64 Gb. Pod koniec roku producent rozpocznie produkcję 128-warstwowych chipów 64D NAND o pojemności 3 Gbit, co umożliwi komercyjną dostępność YMTC – przy stratach produkcyjnych.
Pamięć DRAM dla bufora SSD jest produkowana przez spółkę zależną Tsinghua, Guoxin Micro. Rozmiar bufora nie jest raportowany. Kontroler został opracowany przez chińską firmę Beijing Ziguang Storage Technology, która jest również powiązana z Tsinghua Unigroup.
Kontroler i napęd P8260 obsługują protokół NVMe 1.2.1 i interfejs PCI Express 3.0 x4. Ogłoszono obsługę 16 kanałów pamięci, co obiecuje dużą przepustowość, ale nie podano również dokładnych danych na temat wydajności P8260. Do współpracy z buforem DRAM procesor posiada wbudowany dwukanałowy kontroler pamięci z 40-bitową magistralą i obsługą ECC. Prezentowane są dwie wersje dysku SSD P8260: o pojemności 1 i 2 TB w obudowie karty PCIe i dysku U.2.
Oprócz dysków P8260 producent pokazał także konsumenckie dyski SSD z rodziny P100 i S100. Firma kupuje jednak do tych modeli pamięć 3D NAND od partnerów. Jednym z takich partnerów jest na przykład firma Intel.
Źródło: 3dnews.ru