Los próximos iPhone no se lanzarán hasta septiembre, pero el año pasado comenzaron a aparecer filtraciones sobre nuevos teléfonos inteligentes de Apple. Los esquemas del iPhone XI y iPhone XI Max (los llamaremos así) ya han sido publicados, supuestamente filtrados en línea directamente desde la fábrica. Ahora supuestamente estamos hablando de espacios en blanco para futuros iPhones utilizados por el fabricante de carcasas, y puede arrojar más luz sobre los productos.
Si hay que creer en estos materiales sobre la familia de iPhone de 2019, parece que Apple pretende diferenciar sus teléfonos inteligentes tanto como sea posible de sus competidores. Para lograrlo, la compañía los equipará (al menos el iPhone XI y el iPhone XI Max) con un diseño de cámara trasera triangular extraño y primero en su tipo.
Aunque esta configuración aún no ha sido aprobada definitivamente por el fabricante (ha habido filtraciones que indican otra opción), de momento sí está disponible. para la familia iPhone 2019. Como puede ver, hay una cámara trasera triple en la esquina superior del teléfono inteligente. Si miras de cerca las imágenes, notarás que el logotipo de Apple no está en el lugar correcto y que la inscripción del iPhone está hecha de manera diferente en los dos espacios en blanco. Así que podemos hablar de formas bastante convencionales de futuros smartphones (aunque deberían ser suficientes para casos de prueba).
Según se informa, Apple agregará una tercera cámara a sus dos cámaras existentes este año, con una lente ultra gran angular. Tendrá una apertura f/2,2 y el principal proveedor será Genius Electric Optical. Aparte de esto, Apple sólo hará un cambio en las capacidades del conjunto de cámaras traseras: supuestamente aumentará el área de píxeles en el sensor de la cámara principal, por lo que aumentará la sensibilidad.
En general, los informes actuales sobre la familia de iPhone de 2019 no despiertan mucho optimismo: de hecho, hablaremos del desarrollo del iPhone de 2018. El SoC será nuevo, pero seguirá siendo de 7 nm (aunque el proceso de TSMC mejorará ligeramente con la litografía ULV).
Fuente: 3dnews.ru