Samsungin B-die-siruille rakennetut muistimoduulit ovat ehkä yksi suosituimmista vaihtoehdoista harrastajien keskuudessa. Eteläkorealainen valmistaja pitää niitä kuitenkin vanhentuneina ja lopettaa parhaillaan niiden tuotannon tarjoamalla korvauksia muilla DDR4-muistisiruilla, joiden tuotannossa käytetään uudempaa teknistä prosesseja. Tämä tarkoittaa, että Samsungin puskuroimattomat B-die-siruihin perustuvat DDR4-muistimoduulit ovat nyt saavuttaneet elinkaarensa lopun, ja ne ovat pian loppuneet varastosta. Muut valmistajat, jotka käyttävät Samsungin B-die-siruja tuotteissaan, lopettavat myös vastaavien moduulien toimittamisen.
Samsungin B-die-sirut ja niihin perustuvat muistimoduulit ovat saaneet laajaa tunnustusta monipuolisuutensa ja ylikellotuspotentiaalinsa ansiosta. Ne skaalautuvat täydellisesti taajuudeltaan, reagoivat hyvin syöttöjännitteen nousuun ja mahdollistavat käytön erittäin aggressiivisilla ajoituksilla. Samsungin B-die-siruihin perustuvien moduulien erillinen tärkeä etu on niiden vaatimattomuus ja laaja yhteensopivuus erilaisten muistiohjainten kanssa, mistä niitä erityisesti Ryzen-prosessoreihin perustuvien järjestelmien omistajat rakastavat.
B-die-sirujen valmistukseen käytetään kuitenkin melko vanhaa teknologista prosessia 20 nm:n standardeilla, joten Samsungin halu luopua tällaisten puolijohdelaitteiden tuotannosta nykyaikaisempien vaihtoehtojen hyväksi on täysin ymmärrettävää. Ei kauan sitten yhtiö ilmoitti aloittavansa DDR4 SDRAM -sirujen tuotannon 1z-nm-teknologialla (kolmas sukupolvi), ja 1y-nm-tekniikalla (toinen sukupolvi) valmistettuja siruja on tuotettu yli puolitoista vuotta. Juuri näihin valmistaja kehottaa sinua vaihtamaan. B-die-siruille on virallisesti annettu EOL (End of Life) -status eli elinkaaren loppu.
Legendaaristen Samsungin B-die-sirujen sijaan jaetaan nyt muita tarjouksia. M-die-sirut, jotka on luotu 1y nm prosessitekniikalla, ovat saavuttaneet massatuotannon vaiheen. A-die-sirut, jotka on valmistettu vieläkin edistyneemmällä teknologialla 1z nm standardeilla, ovat myös saavuttaneet pätevöitymisvaiheen. Tämä tarkoittaa, että M-die-sirujen muisti tulee myyntiin lähitulevaisuudessa ja A-die-siruille rakennetut moduulit tulevat käyttäjien saataville kuuden kuukauden kuluessa.
Uusien, päivitetyillä ytimeillä varustettujen muistisirujen tärkein etu nykyaikaisten teknisten prosessien ja mahdollisesti suuremman taajuuspotentiaalin lisäksi on myös niiden lisääntynyt kapasiteetti. Niiden avulla voidaan tuottaa yksipuolisia DDR4-muistimoduuleja, joiden kapasiteetti on 16 Gt, ja kaksipuolisia moduuleja, joiden kapasiteetti on 32 Gt, mikä oli aiemmin mahdotonta.
On syytä muistaa, että tänä kesänä voimme odottaa merkittäviä muutoksia markkinoilla olevien DDR4 SDRAM -muistimoduulien valikoimassa. Uusien Samsung-sirujen lisäksi muistiliuskoissa tulisi käyttää myös Micronin E-die-siruja ja SK Hynixin C-die-siruja. On todennäköistä, että kaikki nämä muutokset lisäävät keskimääräisten DDR4 SDRAM -moduulien keskimääräisen äänenvoimakkuuden lisäksi myös taajuuspotentiaalia.
Lähde: 3dnews.ru