Xtacking तकनीक का दूसरा संस्करण चीनी 3D NAND के लिए तैयार किया गया है

जैसा सूचना चीनी समाचार एजेंसियों, यांग्त्ज़ी मेमोरी टेक्नोलॉजीज (YMTC) ने मल्टी-लेयर 3D NAND फ़्लैश मेमोरी के उत्पादन को अनुकूलित करने के लिए अपनी स्वामित्व वाली Xtacking तकनीक का दूसरा संस्करण तैयार किया है। हमें याद है, एक्सटैकिंग तकनीक को पिछले साल अगस्त में वार्षिक फ्लैश मेमोरी समिट फोरम में प्रस्तुत किया गया था और यहां तक ​​कि "फ्लैश मेमोरी के क्षेत्र में सबसे नवीन स्टार्टअप" श्रेणी में एक पुरस्कार भी प्राप्त हुआ था।

बेशक, अरबों डॉलर के बजट वाले उद्यम को स्टार्टअप कहना स्पष्ट रूप से कंपनी को कम आंकना है, लेकिन, ईमानदारी से कहें तो, YMTC अभी तक बड़े पैमाने पर उत्पादों का उत्पादन नहीं करता है। कंपनी इस साल के अंत तक 3D NAND की बड़े पैमाने पर वाणिज्यिक आपूर्ति शुरू कर देगी जब वह 128-जीबीआईटी 64-लेयर मेमोरी का उत्पादन शुरू करेगी, जो, वैसे, उसी नवीन Xtacking तकनीक द्वारा समर्थित होगी।

हालिया रिपोर्टों के अनुसार, हाल ही में जीएसए मेमोरी + फोरम में, यांग्त्ज़ी मेमोरी सीटीओ तांग जियांग ने स्वीकार किया कि एक्सटैकिंग 2.0 तकनीक अगस्त में पेश की जाएगी। दुर्भाग्य से, कंपनी के तकनीकी प्रमुख ने नए विकास का विवरण साझा नहीं किया, इसलिए हमें अगस्त तक इंतजार करना होगा। जैसा कि पिछले अभ्यास से पता चलता है, कंपनी अंत तक रहस्य बनाए रखती है और फ्लैश मेमोरी समिट 2019 की शुरुआत से पहले, हमें Xtacking 2.0 के बारे में कुछ भी दिलचस्प सीखने की संभावना नहीं है।

जहां तक ​​एक्सटैकिंग तकनीक का सवाल है, इसका लक्ष्य तीन बिंदु था: कर रहे हैं 3डी नंद और उस पर आधारित उत्पादों के उत्पादन पर निर्णायक प्रभाव। ये हैं फ्लैश मेमोरी चिप्स के इंटरफ़ेस की गति, रिकॉर्डिंग घनत्व में वृद्धि और नए उत्पादों को बाज़ार में लाने की गति। Xtacking तकनीक आपको 3D NAND चिप्स में मेमोरी ऐरे के साथ विनिमय दर को 1-1,4 Gbit/s (ONFi 4.1 और ToggleDDR इंटरफेस) से 3 Gbit/s तक बढ़ाने की अनुमति देती है। जैसे-जैसे चिप्स की क्षमता बढ़ती है, विनिमय गति की आवश्यकताएं बढ़ेंगी, और चीनी इस क्षेत्र में सफलता हासिल करने वाले पहले व्यक्ति बनने की उम्मीद करते हैं।

रिकॉर्डिंग घनत्व बढ़ाने में एक और बाधा है - 3D NAND चिप पर न केवल मेमोरी सरणी की उपस्थिति, बल्कि परिधीय नियंत्रण और पावर सर्किट भी। ये सर्किट मेमोरी सरणियों से उपयोग करने योग्य क्षेत्र का 20% से 30% तक दूर ले जाते हैं, और चिप सतह का 128% 50-जीबीआईटी चिप्स से दूर ले जाया जाएगा। एक्सटैकिंग तकनीक के मामले में, मेमोरी ऐरे को अपनी चिप पर तैयार किया जाता है, और नियंत्रण सर्किट दूसरे चिप पर तैयार किया जाता है। क्रिस्टल पूरी तरह से मेमोरी कोशिकाओं के लिए समर्पित है, और चिप असेंबली के अंतिम चरण में नियंत्रण सर्किट मेमोरी के साथ क्रिस्टल से जुड़े होते हैं।

अलग-अलग विनिर्माण और उसके बाद की असेंबली भी कस्टम मेमोरी चिप्स और कस्टम उत्पादों के तेजी से विकास की अनुमति देती है जिन्हें ईंटों की तरह सही संयोजन में इकट्ठा किया जाता है। यह दृष्टिकोण हमें कस्टम मेमोरी चिप्स के विकास को 3 से 12 महीनों के कुल विकास समय में से कम से कम 18 महीने कम करने की अनुमति देता है। अधिक लचीलेपन का अर्थ है उच्च ग्राहक रुचि, जिसकी युवा चीनी निर्माता को हवा की तरह आवश्यकता है।

स्रोत: 3dnews.ru