एवरस्पिन और ग्लोबलफाउंड्रीज ने अपने एमआरएएम संयुक्त विकास समझौते को 12एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी तक बढ़ा दिया है

असतत चुम्बकीय मेमोरी चिप्स का विश्व का एकमात्र विकासकर्ता, एवरस्पिन टेक्नोलॉजीज, उत्पादन प्रौद्योगिकियों में सुधार जारी रखे हुए है। आज एवरस्पिन और ग्लोबलफाउंड्रीज सहमत हो गए हैं 12 एनएम मानकों और फिनफेट ट्रांजिस्टर के साथ एसटीटी-एमआरएएम माइक्रोसर्किट के उत्पादन के लिए संयुक्त रूप से एक प्रौद्योगिकी विकसित करना।

एवरस्पिन के पास एमआरएएम मेमोरी से संबंधित 650 से अधिक पेटेंट और अनुप्रयोग हैं। यह एक ऐसी मेमोरी है जिसकी सेल रिकॉर्डिंग हार्ड डिस्क की चुंबकीय प्लेट पर सूचना रिकॉर्ड करने के समान है। केवल माइक्रो सर्किट के मामले में, प्रत्येक सेल का अपना (सशर्त) चुंबकीय सिर होता है। इसका स्थान लेने वाली STT-MRAM मेमोरी, इलेक्ट्रॉन स्पिन गति स्थानांतरण प्रभाव पर आधारित है, तथा इससे भी कम ऊर्जा लागत पर काम करती है, क्योंकि यह लिखने और पढ़ने के मोड में कम धाराओं का उपयोग करती है।

प्रारंभ में, एमआरएएम मेमोरी का निर्माण एवरस्पिन के लिए एनएक्सपी द्वारा अमेरिका स्थित उसके संयंत्र में किया गया था। 2014 में, एवरस्पिन ने ग्लोबलफाउंड्रीज के साथ एक सहयोग समझौता किया। साथ मिलकर, उन्होंने अधिक उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकियों का उपयोग करके पृथक और एम्बेडेड MRAM (STT-MRAM) विनिर्माण प्रक्रियाओं का विकास करना शुरू किया।

समय के साथ, ग्लोबलफाउंड्रीज की सुविधाओं ने 40-एनएम और 28-एनएम एसटीटी-एमआरएएम चिप्स का उत्पादन शुरू किया (एक नए उत्पाद, 1-जीबिट डिस्क्रीट एसटीटी-एमआरएएम चिप के साथ समाप्त हुआ), और एफडी-एसओआई वेफर्स पर 22-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके नियंत्रकों में एसटीटी-एमआरएएम सरणियों को एकीकृत करने के लिए 22एफडीएक्स प्रक्रिया प्रौद्योगिकी भी तैयार की। एवरस्पिन और ग्लोबलफाउंड्रीज के नए समझौते से एसटीटी-एमआरएएम चिप्स का उत्पादन 12एनएम प्रक्रिया में स्थानांतरित हो जाएगा।

एमआरएएम मेमोरी का प्रदर्शन एसआरएएम मेमोरी के बराबर पहुंच रहा है और संभवतः इंटरनेट ऑफ थिंग्स के नियंत्रकों में इसका स्थान ले सकता है। साथ ही, यह गैर-वाष्पशील है और पारंपरिक NAND मेमोरी की तुलना में अधिक घिसाव-प्रतिरोधी है। 12 एनएम मानकों में परिवर्तन से एमआरएएम की रिकॉर्डिंग घनत्व बढ़ जाएगी, और यही इसका मुख्य दोष है।