एवरस्पिन और ग्लोबलफाउंड्रीज ने अपने एमआरएएम संयुक्त विकास समझौते को 12एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी तक बढ़ा दिया है

असतत मैग्नेटोरेसिस्टिव एमआरएएम मेमोरी चिप्स की दुनिया की एकमात्र डेवलपर, एवरस्पिन टेक्नोलॉजीज, उत्पादन प्रौद्योगिकियों में सुधार करना जारी रखती है। आज एवरस्पिन और ग्लोबलफाउंड्रीज़ सहमत हो गए हैं 12 एनएम मानकों और फिनफेट ट्रांजिस्टर के साथ एसटीटी-एमआरएएम माइक्रोसर्किट के उत्पादन के लिए प्रौद्योगिकी विकसित करने के लिए।

एवरस्पिन के पास एमआरएएम मेमोरी से संबंधित 650 से अधिक पेटेंट और एप्लिकेशन हैं। यह मेमोरी है, जिसके सेल पर लिखना हार्ड डिस्क की चुंबकीय प्लेट पर जानकारी लिखने के समान है। केवल माइक्रो-सर्किट के मामले में प्रत्येक कोशिका का अपना (सशर्त) चुंबकीय सिर होता है। इलेक्ट्रॉन स्पिन गति स्थानांतरण प्रभाव के आधार पर इसे प्रतिस्थापित करने वाली एसटीटी-एमआरएएम मेमोरी और भी कम ऊर्जा लागत के साथ संचालित होती है, क्योंकि यह लिखने और पढ़ने के मोड में कम धाराओं का उपयोग करती है।

प्रारंभ में, एवरस्पिन द्वारा ऑर्डर की गई एमआरएएम मेमोरी का उत्पादन एनएक्सपी द्वारा यूएसए में अपने संयंत्र में किया गया था। 2014 में, एवरस्पिन ने ग्लोबलफाउंड्रीज़ के साथ एक संयुक्त कार्य समझौता किया। साथ में, उन्होंने अधिक उन्नत विनिर्माण प्रक्रियाओं का उपयोग करके असतत और एम्बेडेड एमआरएएम (एसटीटी-एमआरएएम) निर्माण प्रक्रियाओं को विकसित करना शुरू किया।

समय के साथ, ग्लोबलफाउंड्रीज़ सुविधाओं ने 40-एनएम और 28-एनएम एसटीटी-एमआरएएम चिप्स (एक नए उत्पाद के साथ समाप्त - 1-जीबीआईटी असतत एसटीटी-एमआरएएम चिप) का उत्पादन शुरू किया, और एसटीटी को एकीकृत करने के लिए 22FDX प्रक्रिया प्रौद्योगिकी भी तैयार की। एमआरएएम एफडी-एसओआई वेफर्स पर 22-एनएम एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके नियंत्रकों में सारणी बनाता है। एवरस्पिन और ग्लोबलफाउंड्रीज के बीच नए समझौते से एसटीटी-एमआरएएम चिप्स के उत्पादन को 12-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी में स्थानांतरित किया जाएगा।

एमआरएएम मेमोरी एसआरएएम मेमोरी के प्रदर्शन के करीब पहुंच रही है और संभावित रूप से इसे इंटरनेट ऑफ थिंग्स के लिए नियंत्रकों में प्रतिस्थापित कर सकती है। साथ ही, यह गैर-वाष्पशील है और पारंपरिक NAND मेमोरी की तुलना में घिसाव के प्रति अधिक प्रतिरोधी है। 12 एनएम मानकों में परिवर्तन से एमआरएएम की रिकॉर्डिंग घनत्व में वृद्धि होगी, और यह इसका मुख्य दोष है।

स्रोत: 3dnews.ru