सैमसंग ने 100-लेयर 3डी NAND का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया है और 300-लेयर का वादा किया है

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स की ओर से एक ताज़ा प्रेस विज्ञप्ति सूचनाइसने 3 से अधिक परतों के साथ 100डी नंद का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया है। उच्चतम संभव कॉन्फ़िगरेशन 136 परतों वाले चिप्स की अनुमति देता है, जो सघन 3D NAND फ्लैश मेमोरी के पथ पर एक नया मील का पत्थर है। स्पष्ट मेमोरी कॉन्फ़िगरेशन की कमी संकेत देती है कि 100 से अधिक परतों वाली चिप दो या, सबसे अधिक संभावना है, तीन मोनोलिथिक 3D NAND डाइज़ (उदाहरण के लिए, 48-लेयर) से इकट्ठी की गई है। सोल्डरिंग क्रिस्टल की प्रक्रिया के दौरान, कुछ सीमा परतें नष्ट हो जाती हैं, और इससे क्रिस्टल में परतों की संख्या को सटीक रूप से इंगित करना असंभव हो जाता है, ताकि बाद में सैमसंग पर अशुद्धि का आरोप न लगे।

हालाँकि, सैमसंग अद्वितीय चैनल होल नक़्क़ाशी पर जोर देता है, जो एक अखंड संरचना की मोटाई के माध्यम से छेदने और क्षैतिज फ्लैश मेमोरी सरणियों को एक मेमोरी चिप में जोड़ने की संभावना को खोलता है। पहले 100-लेयर उत्पाद 3 Gbit की क्षमता वाले 256D NAND TLC चिप्स थे। कंपनी इस आगामी शरद ऋतु में 512(+) परतों के साथ 100-जीबीआईटी चिप्स का उत्पादन शुरू कर देगी।

उच्च क्षमता वाली मेमोरी को रिलीज़ करने से इनकार इस तथ्य (संभवतः) से तय होता है कि कम क्षमता की मेमोरी के मामले में नए उत्पादों को जारी करते समय दोषों के स्तर को नियंत्रित करना आसान होता है। "मंजिलों की संख्या में वृद्धि" करके, सैमसंग क्षमता खोए बिना एक छोटे क्षेत्र के साथ एक चिप का उत्पादन करने में सक्षम था। इसके अलावा, चिप कुछ मायनों में सरल हो गई है, क्योंकि अब मोनोलिथ में 930 मिलियन ऊर्ध्वाधर छेद के बजाय, यह केवल 670 मिलियन छेद खोदने के लिए पर्याप्त है। सैमसंग के अनुसार, इसने उत्पादन चक्र को सरल और छोटा कर दिया है और श्रम उत्पादकता में 20% की वृद्धि को सक्षम किया है, जिसका अर्थ है अधिक और कम लागत।

100-लेयर मेमोरी के आधार पर, सैमसंग ने SATA इंटरफ़ेस के साथ 256 जीबी SSD का उत्पादन शुरू किया। उत्पादों की आपूर्ति पीसी ओईएम को की जाएगी। इसमें कोई संदेह नहीं है कि सैमसंग जल्द ही विश्वसनीय और अपेक्षाकृत सस्ती सॉलिड-स्टेट ड्राइव पेश करेगा।

100-परत संरचना में परिवर्तन ने हमें प्रदर्शन या बिजली की खपत का त्याग करने के लिए मजबूर नहीं किया। नया 256 Gbit 3D NAND TLC कुल मिलाकर 10-लेयर मेमोरी से 96% तेज़ था। चिप के नियंत्रण इलेक्ट्रॉनिक्स के बेहतर डिज़ाइन ने डेटा ट्रांसफर दर को राइट मोड में 450 μs से नीचे और रीड मोड में 45 μs से नीचे रखना संभव बना दिया। वहीं, खपत में 15% की कमी आई। सबसे दिलचस्प बात यह है कि 100-लेयर 3D NAND पर आधारित, कंपनी तीन पारंपरिक अखंड 300-लेयर क्रिस्टल को जोड़कर, अगले 3-लेयर 100D NAND जारी करने का वादा करती है। अगर सैमसंग अगले साल 300-लेयर 3D NAND का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर सकता है, तो यह प्रतिस्पर्धियों के लिए एक दर्दनाक किक होगी और चीन में उभर रहा है फ़्लैश मेमोरी उद्योग.

स्रोत: 3dnews.ru