東京エレクトロン、400層3D NANDフラッシュメモリの製造装置を開発

チップ内の層を垂直に接続する空間配置を採用した3D NANDメモリの製造には特殊な装置が必要であり、これまで市場はアメリカのラムリサーチ社が独占していました。日本の東京エレクトロンは、メモリ層数を400層まで増やす、より生産性の高いXNUMXD NANDチップ製造方法を開発しました。画像提供：東京エレクトロン
出所： 3dnews.ru