ლეგენდარული Samsung B-die მეხსიერების ჩიპების წარმოება შეჩერებულია

Samsung B-die ჩიპებზე აგებული მეხსიერების მოდულები, ალბათ, ერთ-ერთი ყველაზე პოპულარული ვარიანტია ენთუზიასტებში. თუმცა, სამხრეთ კორეელი მწარმოებელი მათ მოძველებულად მიიჩნევს და ამჟამად აჩერებს მათ წარმოებას, სთავაზობს ჩანაცვლებას სხვა DDR4 მეხსიერების ჩიპებით, რომელთა წარმოება უფრო ახალ ტექნიკურ პროცესებს იყენებს. ეს ნიშნავს, რომ Samsung-ის დაუბუფერული DDR4 მეხსიერების მოდულები, რომლებიც დაფუძნებულია B-die ჩიპებზე, უკვე მიაღწიეს სიცოცხლის ციკლის ბოლოს და მალე ამოიწურება მარაგში. სხვა მწარმოებლები, რომლებიც იყენებენ Samsung B-die ჩიპებს თავიანთ პროდუქტებში, ასევე შეწყვეტენ მსგავსი მოდულების მიწოდებას.

Samsung B-die ჩიპებმა და მათზე დაფუძნებულმა მეხსიერების მოდულებმა მოიპოვეს ფართო აღიარება მათი მრავალფეროვნებისა და გადატვირთვის პოტენციალის გამო. ისინი მშვენივრად ანაწილებენ სიხშირეს, კარგად რეაგირებენ მიწოდების ძაბვის მატებაზე და აძლევენ ექსპლუატაციის საშუალებას უკიდურესად აგრესიული დროებით. Samsung B-die ჩიპებზე დაფუძნებული მოდულების ცალკეული მნიშვნელოვანი უპირატესობაა მათი არაპრეტენზიულობა და ფართო თავსებადობა სხვადასხვა მეხსიერების კონტროლერებთან, რისთვისაც ისინი განსაკუთრებით უყვართ Ryzen პროცესორებზე დაფუძნებული სისტემების მფლობელებს.

ამასთან, B-die ჩიპების წარმოებისთვის გამოიყენება საკმაოდ ძველი ტექნოლოგიური პროცესი 20 ნმ სტანდარტებით, ამიტომ Samsung-ის სურვილი, უარი თქვას ასეთი ნახევარგამტარული მოწყობილობების წარმოებაზე უფრო თანამედროვე ალტერნატივების სასარგებლოდ, გასაგებია. ცოტა ხნის წინ, კომპანიამ გამოაცხადა DDR4 SDRAM ჩიპების წარმოების დაწყება 1z-nm ტექნოლოგიის გამოყენებით (მესამე თაობა), ხოლო 1y-nm ტექნოლოგიით წარმოებული ჩიპები (მეორე თაობა) წელიწადნახევარზე მეტია იწარმოება. სწორედ ამათ მოგიწოდებთ მწარმოებელი გადახვიდეთ. B-die ჩიპებს ოფიციალურად ენიჭება EOL (End of Life) სტატუსი - სიცოცხლის ციკლის დასასრული.

ლეგენდარული Samsung B-die ჩიპების ნაცვლად, ახლა სხვა შეთავაზებები გავრცელდება. M-die ჩიპები, რომლებიც შექმნილია 1y nm პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით, მიაღწია მასობრივი წარმოების ეტაპს. A-die ჩიპები, რომლებიც წარმოებულია კიდევ უფრო მოწინავე ტექნოლოგიის გამოყენებით 1z ნმ სტანდარტებით, ასევე მიაღწია საკვალიფიკაციო წარმოების ეტაპს. ეს ნიშნავს, რომ M-die ჩიპებზე მეხსიერება უახლოეს მომავალში გაიყიდება და A-die ჩიპებზე აგებული მოდულები მომხმარებლებისთვის ხელმისაწვდომი გახდება ექვსი თვის განმავლობაში.

განახლებული ბირთვით ახალი მეხსიერების ჩიპების მთავარი უპირატესობა, გარდა თანამედროვე ტექნიკური პროცესებისა და პოტენციურად უფრო მაღალი სიხშირის პოტენციალისა, არის მათი გაზრდილი სიმძლავრეც. ისინი იძლევა ცალმხრივი DDR4 მეხსიერების მოდულების 16 GB ტევადობის და ორმხრივი მოდულების 32 GB ტევადობის დამზადების საშუალებას, რაც ადრე შეუძლებელი იყო.

შეგახსენებთ, რომ ამ ზაფხულს შეიძლება ველოდოთ მნიშვნელოვან ცვლილებებს ბაზარზე არსებული DDR4 SDRAM მეხსიერების მოდულების დიაპაზონში. გარდა Samsung-ის ახალი ჩიპებისა, მეხსიერების ზოლებში ასევე უნდა იყოს გამოყენებული E-die ჩიპები Micron-დან და C-die SK Hynix. სავარაუდოა, რომ ყველა ეს ცვლილება გამოიწვევს არა მხოლოდ საშუალო მოცულობის, არამედ საშუალო DDR4 SDRAM მოდულების სიხშირის პოტენციალის ზრდას.

წყარო: 3dnews.ru