သင့်တွင် လက်ပ်တော့တစ်လုံးရှိလျှင် အဘယ်ကြောင့် အပူခံပြားကို အက်တမ်အဆင့်တွင် အပူခံနိုင်ရည်ရှိမှုဆိုင်ရာ လေ့လာချက်

Xbox 360 ခေတ်ကို ခံစားခဲ့ရတဲ့ ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းက ဂိမ်းကစားသူတော်တော်များများဟာ သူတို့ရဲ့ ကွန်ဆိုးလ်ဟာ ကြက်ဥကြော်နိုင်တဲ့ ဒယ်အိုးတစ်ခုအဖြစ် ပြောင်းလဲသွားတဲ့အခါ အခြေအနေနဲ့ အလွန်ရင်းနှီးကြပါတယ်။ အလားတူဝမ်းနည်းဖွယ်အခြေအနေသည် ဂိမ်းစက်များတွင်သာမက ဖုန်းများ၊ လက်ပ်တော့များ၊ တက်ဘလက်များနှင့် အခြားအရာများနှင့်လည်း ဖြစ်ပွားသည်။ မူအရ၊ မည်သည့်အီလက်ထရွန်နစ်စက်ပစ္စည်းတိုင်းနီးပါးသည် ၎င်း၏ချို့ယွင်းချက်နှင့် ၎င်း၏ပိုင်ရှင်ကို စိတ်ပျက်စေရုံသာမက ဘက်ထရီ၏ “ဆိုးရွားသောစန်းပွင့်ခြင်း” နှင့် ပြင်းထန်သော ထိခိုက်ဒဏ်ရာရမှုတို့ကို ဖြစ်စေနိုင်သည့် အပူရှော့ကို တွေ့ကြုံခံစားရနိုင်သည်။ ရုပ်ပြများမှ Nick Fury ကဲ့သို့သော Stanford University မှ သိပ္ပံပညာရှင်များသည် အပူဒဏ်ခံနိုင်သော အီလက်ထရွန်းနစ် အစိတ်အပိုင်းများကို အပူလွန်ကဲခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည့် အကာတစ်ခုကို ဖန်တီးခဲ့ပြီး ရလဒ်အနေဖြင့် ၎င်းတို့ကို ကွဲထွက်ခြင်းမှ တားဆီးပေးသည့် လေ့လာမှုတစ်ခုအား ယနေ့တွင် သိရှိရမည်ဖြစ်ပါသည်။ သိပ္ပံပညာရှင်များသည် အပူအကာတစ်ခုဖန်တီးရန်၊ ၎င်း၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းများကား အဘယ်နည်း၊ မည်မျှထိရောက်မှုရှိသနည်း။ ဤအကြောင်းနှင့် သုတေသနအဖွဲ့၏ အစီရင်ခံစာမှ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဤအကြောင်းနှင့် အခြားအရာများကို လေ့လာပါသည်။ သွားတော့။

သုတေသနအခြေခံ

အပူလွန်ကဲခြင်းပြဿနာကို အချိန်အတော်ကြာ လူသိများခဲ့ပြီး သိပ္ပံပညာရှင်များသည် ၎င်းကို နည်းလမ်းအမျိုးမျိုးဖြင့် ဖြေရှင်းခဲ့ကြသည်။ အချို့သော ရေပန်းအစားဆုံးမှာ အပူဓါတ်၏ insulator အမျိုးအစားအဖြစ် အသုံးပြုသည့် ဖန်၊ ပလပ်စတစ်နှင့် လေအလွှာများကိုပင် အသုံးပြုခြင်း ဖြစ်သည်။ ခေတ်သစ်လက်တွေ့အခြေအနေများတွင်၊ ၎င်း၏အပူလျှပ်ကာဂုဏ်သတ္တိများကိုမဆုံးရှုံးစေဘဲအကာအကွယ်အလွှာ၏အထူကိုအက်တမ်များစွာအထိလျှော့ချခြင်းဖြင့်ဤနည်းလမ်းကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။ အဲဒါက သုတေသီတွေ လုပ်ခဲ့တာ။

ကျွန်ုပ်တို့သည် nanomaterials များအကြောင်းပြောနေပါသည်။ သို့ရာတွင်၊ အပူလျှပ်ကာတွင် ၎င်းတို့၏အသုံးပြုမှုသည် အအေးခံခြင်းများ၏ လှိုင်းအလျား (Wavelength) ကြောင့် ယခင်က ရှုပ်ထွေးခဲ့သည်။phonons*) သည် အီလက်ထရွန် သို့မဟုတ် ဖိုတွန်များထက် သိသိသာသာ တိုသည်။

Phonon* - ပုံဆောင်ခဲအက်တမ်များ၏ တုန်ခါမှုဆိုင်ရာ ကွမ်တမ်ဖြစ်သည့် Quasiparticle တစ်ခု။

ထို့အပြင်၊ phonons ၏ ဘော့နစ်သဘောသဘာဝကြောင့် ၎င်းတို့အား အခဲများတွင် အပူလွှဲပြောင်းခြင်းကို ထိန်းချုပ်ရန် ယေဘူယျအားဖြင့် ခက်ခဲစေသည့် ဗို့အား (အားသွင်းသယ်ဆောင်သူများဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်) ဖြင့် ၎င်းတို့အား ထိန်းချုပ်ရန် မဖြစ်နိုင်ပေ။

ယခင်က၊ သုတေသီများက ကျွန်ုပ်တို့ကိုသတိပေးထားသည့်အတိုင်း အစိုင်အခဲများ၏ အပူဓာတ်ဂုဏ်သတ္တိများကို နာနိုလာမီနီယမ်ရုပ်ရှင်များနှင့် စူပါလက်တီကျစ်များမှတစ်ဆင့် ထိန်းချုပ်ထားပြီး၊ သို့မဟုတ် အားကောင်းသော phonon ကွဲအက်မှုကြောင့် ဆီလီကွန်နှင့် ဂျာမနီယမ် nanowires များမှတစ်ဆင့် တည်ဆောက်ပုံပိုင်းဆိုင်ရာချို့ယွင်းမှုနှင့် အလွန်သိပ်သည်းမှုတို့ကြောင့် ထိန်းချုပ်ခံခဲ့ရသည်။

အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော အပူလျှပ်ကာနည်းလမ်းများစွာအတွက်၊ သိပ္ပံပညာရှင်များသည် အက်တမ်များစွာထက်မပိုသော အထူနှစ်ဘက်မြင်ပစ္စည်းများကို သတ်မှတ်ဖော်ပြရန် သိပ္ပံပညာရှင်များသည် စိတ်ချယုံကြည်စွာ အဆင်သင့်ဖြစ်နေပြီဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့ကို အက်တမ်စကေးတွင် ထိန်းချုပ်ရလွယ်ကူစေသည်။ သူတို့လေ့လာရာမှာ သုံးတယ်။ ဗန်ဒါဝါးလ် (vdW) ၎င်းတို့၏ heterostructure တစ်လျှောက် အလွန်မြင့်မားသော အပူခံနိုင်ရည်ရရှိရန် အက်တမ်နည်း 2D အလွှာများ တပ်ဆင်ခြင်း။

Van der Waals တပ်ဖွဲ့များ* - စွမ်းအင် 10-20 kJ/mol ဖြင့် စပ်ကြား မော်လီကျူး/ အက်တမ် အပြန်အလှန် သက်ရောက်မှုကို တွန်းအားပေးသည်။

နည်းပညာအသစ်သည် 2 nm ထူသော SiO2 (ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်) အလွှာရှိ 300 nm အထူ vdW heterostructure တွင် အပူခံနိုင်ရည်ကို ရရှိစေသည်။

ထို့အပြင်၊ vdW heterostructures များကိုအသုံးပြုခြင်းသည် မတူညီသော atomic mass density နှင့် vibrational modes အမျိုးမျိုးရှိသော ကွဲပြားသော XNUMXD monolayers များအလွှာများမှတဆင့် atomic အဆင့်ရှိ အပူဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းချုပ်နိုင်စေပါသည်။

ဒါကြောင့် ကြောင်ပါးသိုင်းမွှေးတွေကို မဆွဲလိုက်ရအောင်၊ ဒီအံ့သြစရာကောင်းတဲ့ သုတေသနရလဒ်တွေကို စတင်စဉ်းစားကြည့်ရအောင်။

သုတေသနရလဒ်များ

ပထမဦးစွာ၊ ဤလေ့လာမှုတွင်အသုံးပြုသည့် vdW heterostructures ၏ microstructural နှင့် optical လက္ခဏာများကို သိအောင်လုပ်ပါ။

ပုံ နံပါတ် ၁

ပုံထဲမှာ 1a (အပေါ်မှအောက်ခြေအထိ) ပါဝင်သော လေးလွှာ heterostructure ၏ ဖြတ်ပိုင်းပုံပြကွက်ကို ပြသသည်- graphene (Gr), MoSe2, MoS2, WSe22 နှင့် SiO2/Si အလွှာတစ်ခု။ အလွှာအားလုံးကို တစ်ပြိုင်နက် စကင်န်ဖတ်ရန်၊ အသုံးပြုပါ။ Raman လေဆာ* လှိုင်းအလျား 532 nm ရှိသည်။

Raman လေဆာ* - အလင်းချဲ့ထွင်ခြင်း၏ အဓိကယန္တရားမှာ Raman scattering ဖြစ်သော လေဆာအမျိုးအစားဖြစ်သည်။

ရာမန် ကြဲပက်သည်။တစ်ဖန်၊ သည် ဓာတ်ရောင်ခြည်၏ ကြိမ်နှုန်းတွင် သိသာထင်ရှားသော ပြောင်းလဲမှုတစ်ခုနှင့်အတူ အရာဝတ္ထုတစ်ခု၏ မော်လီကျူးများပေါ်တွင် optical radiation ၏ inelastic scattering ဖြစ်သည် ။

heterostructures ၏ microstructural, thermal နှင့် electron တူညီမှုကို အတည်ပြုရန် နည်းလမ်းများစွာကို အသုံးပြုခဲ့သည်- စကင်န်ထုတ်ခြင်း အီလက်ထရွန် အဏုစကုပ် (STEM), photoluminescence spectroscopy (PL), Kelvin probe microscopy (KPM), scanning thermal microscopy (SThM) နှင့် Raman spectroscopy နှင့် သာမိုမီတာ

ပုံရိပ် 1b အနီရောင်အစက်ဖြင့် အမှတ်အသားပြုထားသည့် တည်နေရာရှိ SiO2/Si အလွှာပေါ်ရှိ Gr/MoSe2/MoS22/WSe2 heterostructure ၏ Raman spectrum ကို ပြသည်။ ဤကွက်ကွက်သည် အလွှာအခင်းအကျင်းရှိ monolayer တစ်ခုစီ၏ လက်မှတ်အပြင် Si substrate ၏ လက်မှတ်ကို ပြသထားသည်။

အပေါ် 1c-1f Gr/MoSe2/MoS2/WSe22 heterostructure ၏ အမှောင်နယ်ပယ် STEM ပုံများကို ပြသထားသည် (1s) နှင့် Gr/MoS2/WSe22 heterostructures (1d-1f) မတူညီသော ရာဇမတ်ကွက်များ STEM ပုံများသည် ညစ်ညမ်းမှုမရှိဘဲ အက်တမ်ပိတ် vdW ကွက်လပ်များကို ပြသပြီး ဤ heterostructures များ၏ ခြုံငုံအထူကို အပြည့်အဝမြင်နိုင်စေပါသည်။ photoluminescence (PL) spectroscopy (PL) ကို အသုံးပြု၍ ကြီးမားသော စကန်ဖတ်သည့် နေရာများတွင်လည်း interlayer coupling ၏ ပါဝင်မှုကို အတည်ပြုခဲ့သည် ။1g) heterostructure အတွင်းရှိ အလွှာတစ်ခုချင်းစီ၏ photoluminescent signal ကို သီးခြား monolayer တစ်ခု၏ signal နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သိသိသာသာ ဖိနှိပ်ထားပါသည်။ ပေါင်းတင်ပြီးနောက် ပိုမိုအားကောင်းလာကာ အနီးကပ် interlayer အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုကြောင့် interlayer charge transfer လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ရှင်းပြထားပါသည်။

ပုံ နံပါတ် ၁

heterostructure ၏ atomic planes များ၏ အပူစီးဆင်းမှုကို တိုင်းတာရန်အတွက်၊ အလွှာများ၏ array ကို four-probe electronic devices များပုံစံဖြင့် တည်ဆောက်ခဲ့သည်။ graphene ၏ အပေါ်ဆုံးအလွှာသည် palladium (Pd) လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ဆက်သွယ်ပြီး Raman သာမိုမီတာတိုင်းတာခြင်းအတွက် အပူပေးစက်အဖြစ် အသုံးပြုသည်။

ဤလျှပ်စစ်အပူပေးနည်းသည် အဝင်ပါဝါ၏ တိကျသောပမာဏကို ပေးသည်။ အလွှာတစ်ခုချင်းစီ၏ စုပ်ယူမှုကိန်းဂဏန်းများကို မသိခြင်းကြောင့် နောက်ထပ်ဖြစ်နိုင်သော အပူပေးနည်းလမ်းဖြစ်သော အလင်းပြန်မှုမှာ အကောင်အထည်ဖော်ရန် ပို၍ခက်ခဲမည်ဖြစ်သည်။

အပေါ် 2a လေးလုံးထိုး တိုင်းတာမှုပတ်လမ်းကို ပြပေးသည်။ 2b စမ်းသပ်နေသည့် ဖွဲ့စည်းပုံ၏ ထိပ်တန်းမြင်ကွင်းကို ပြသသည်။ အချိန်ဇယား 2s ဂရပ်ဖင်းတစ်မျိုးတည်းသာပါရှိသော စက်ပစ္စည်းသုံးခုအတွက် တိုင်းတာထားသော အပူကူးပြောင်းမှုလက္ခဏာများကို ပြသပြီး တစ်ခုတွင် Gr/WSe22 နှင့် Gr/MoSe2/Wse22 အလွှာ arrays များပါရှိသော နှစ်ခုကို ပြသသည်။ မျိုးကွဲအားလုံးသည် တီးဝိုင်းကွာဟချက်မရှိခြင်းနှင့် ဆက်စပ်နေသည့် graphene ၏ ambipolar အပြုအမူကို သရုပ်ပြသည်။

၎င်း၏လျှပ်စစ်စီးကူးမှုသည် MoS2 နှင့် WSe22 ထက် ပြင်းအားအမြောက်အမြားရှိသောကြောင့် အထက်အလွှာ (graphene) တွင် လက်ရှိလျှပ်ကူးမှုနှင့် အပူပေးခြင်းတို့ကို တွေ့ရှိခဲ့သည်။

စမ်းသပ်ထားသော စက်ပစ္စည်းများ၏ တစ်သားတည်းဖြစ်မှုကို သက်သေပြရန်အတွက် Kelvin probe microscopy (KPM) နှင့် thermal microscopy (SThM) ကို အသုံးပြု၍ တိုင်းတာမှုများကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ ဇယားပေါ်တွင် 2d KPM တိုင်းတာမှုများသည် linear အလားအလာဖြန့်ဖြူးမှုကိုဖော်ပြသည်။ SthM ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု၏ရလဒ်များကို တွင်ပြသထားသည်။ 2s. ဤနေရာတွင် လျှပ်စစ်ဖြင့် အပူပေးထားသော Gr/MoS2/WSe22 ချန်နယ်များ၏ မြေပုံကို တွေ့မြင်ရပြီး မျက်နှာပြင်အပူပေးခြင်းတွင် တူညီမှုရှိနေပါသည်။

အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော စကင်န်ဖတ်ခြင်းနည်းပညာများသည် အထူးသဖြင့် SThM သည် အပူချိန်သတ်မှတ်ချက်အရ ၎င်း၏တစ်သမတ်တည်းဖြစ်တည်မှုဖြစ်သည့် လေ့လာဆဲဖွဲ့စည်းပုံ၏ တစ်သမတ်တည်းဖြစ်ကြောင်း အတည်ပြုခဲ့သည်။ နောက်တစ်ဆင့်မှာ Raman spectroscopy (ဆိုလိုသည်မှာ Raman spectroscopy) ကို အသုံးပြု၍ ပေါင်းစပ်ထားသော အလွှာတစ်ခုစီ၏ အပူချိန်ကို တိုင်းတာရန်ဖြစ်သည်။

စက်ပစ္စည်း သုံးခုစလုံးကို ဧရိယာ ~40 µm2 ဖြင့် စမ်းသပ်ခဲ့သည်။ ဤကိစ္စတွင်၊ အပူပေးကိရိယာ၏ပါဝါသည် 9 mW ဖြင့်ပြောင်းလဲသွားပြီး လေဆာအစက်အပြောက်ဧရိယာ ~ 5 μm0.5 ဖြင့် စုပ်ယူထားသောလေဆာပါဝါသည် ~ 2 μW အောက်တွင်ရှိသည်။

ပုံ နံပါတ် ၁

ဇယားပေါ်တွင် 3a Gr/MoS2/WSe22 heterostructure ရှိ အပူပေးစက်ပါဝါ တိုးလာသည်နှင့်အမျှ အလွှာနှင့် အလွှာတစ်ခုစီ၏ အပူချိန် (∆T) တိုးလာသည်ကို မြင်နိုင်သည်။

ပစ္စည်း (အလွှာ) တစ်ခုစီအတွက် linear function ၏ စောင်းများသည် အလွှာတစ်ခုစီနှင့် heat sink အကြား အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် (Rth=∆T/P) ကို ညွှန်ပြသည်။ ဧရိယာအပေါ်တစ်ပြေးညီအပူပေးဝေမှုပေးခြင်းဖြင့်၊ အပူခံနိုင်ရည်အား အောက်ခြေမှအပေါ်ဆုံးအလွှာအထိ အလွယ်တကူ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာနိုင်ပြီး ၎င်းတို့၏တန်ဖိုးများကို ချန်နယ်ဧရိယာ (WL) ဖြင့် ပုံမှန်ဖြစ်စေသည်။

L နှင့် W သည် ချန်နယ်အလျားနှင့် အကျယ်ဖြစ်ပြီး၊ SiO2 အလွှာ၏အထူနှင့် ~ 0.1 μmဖြစ်သည့် ဘေးဘက်အပူပေးသည့်အရှည်ထက် သိသိသာသာကြီးသည်။

ထို့ကြောင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် Si substrate ၏ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်အတွက် ဖော်မြူလာကို ထုတ်ယူနိုင်သည်၊ ၎င်းမှာ အောက်ပါအတိုင်း ဖြစ်လိမ့်မည်၊

Rth၊Si ≈ (WL)1/2/(2)kစည်)

ဒီအခြေအနေမှာ kSi ≈ 90 W m−1 K−1 သည် လွန်စွာ စွန်းထင်းနေသော အလွှာ၏ အပူစီးကူးနိုင်မှု ဖြစ်သည်။

Rth၊ Wse2 နှင့် Rth၊ Si အကြား ခြားနားချက်မှာ 2 nm အထူ SiO100 ၏ အပူခံနိုင်ရည်နှင့် WSe2/SiO2 မျက်နှာပြင်၏ အပူပိုင်းနယ်မြေခံနိုင်ရည် (TBR) တို့ဖြစ်သည်။

အထက်ဖော်ပြပါ ကဏ္ဍအားလုံးကို ပေါင်းစည်းခြင်းဖြင့် Rth,MoS2 − Rth,WSe2 = TBRMoS2/WSe2, and Rth,Gr − Rth,MoS2 = TBRGr/MoS2 တို့ကို တည်ထောင်နိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဂရပ်ဖစ်ပေါ်မှ၊ 3a WSe2/SiO2၊ MoS2/WSe2 နှင့် Gr/MoS2 အင်တာဖေ့စ်တစ်ခုစီအတွက် TBR တန်ဖိုးကို ထုတ်ယူနိုင်သည်။

ထို့နောက် သိပ္ပံပညာရှင်များသည် Raman spectroscopy နှင့် thermal microscopy ကို အသုံးပြု၍ တိုင်းတာသော heterostructure အားလုံး၏ စုစုပေါင်း အပူခံနိုင်ရည်ကို နှိုင်းယှဉ်ခဲ့သည် (3b).

SiO2 ရှိ Bilayer နှင့် trilayer heterostructures များသည် အခန်းအပူချိန်တွင် 220 မှ 280 m2 K/GW အတွင်း ထိရောက်သော အပူခံနိုင်ရည်ကို ပြသခဲ့ပြီး SiO2 ၏ အထူ 290 မှ 360 nm ရှိသော အပူခံနိုင်ရည်နှင့် ညီမျှသည်။ လေ့လာမှုအောက်တွင်ရှိသော heterostructures များ၏အထူသည် 2 nm ထက်မကျော်လွန်နိုင်သော်လည်း၊1d-1f) ၎င်းတို့၏အပူစီးကူးမှုသည် အခန်းအပူချိန်တွင် 0.007-0.009 W m−1 K−1 ဖြစ်သည်။

ပုံ နံပါတ် ၁

ပုံ 4 သည် တည်ဆောက်မှုလေးခုလုံး၏ တိုင်းတာမှုများနှင့် ၎င်းတို့၏ အင်တာဖေ့စ်များ၏ အပူပိုင်းပတ်ကူးမှု (TBC) ကို ပြသပေးသည်၊ ၎င်းသည် ကျွန်ုပ်တို့အား ယခင်တိုင်းတာထားသော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် (TBC = 1 / TBR) ပေါ်ရှိ အလွှာတစ်ခုစီ၏ လွှမ်းမိုးမှုအတိုင်းအတာကို အကဲဖြတ်နိုင်စေပါသည်။

သီးခြား monolayers (2D/2D) အကြား အထူးသဖြင့် WSe2 နှင့် SiO2 monolayers များကြားတွင် အက်တမ်အနီးကပ်ကြားခံများအတွက် ပထမဆုံး TBC တိုင်းတာမှုကို သုတေသီများက သတိပြုမိပါသည်။

monolayer WSe2/SiO2 အင်တာဖေ့စ်၏ TBC သည် multilayer WSe2/SiO2 အင်တာဖေ့စ်ထက်နိမ့်သည်၊ ၎င်းသည် monolayer သည် ထုတ်လွှင့်မှုအတွက်ရရှိနိုင်သော ကွေးညွှတ်သော phonon modes သိသိသာသာနည်းပါးသွားသောကြောင့် အံ့သြစရာမဟုတ်ပါ။ ရိုးရိုးရှင်းရှင်းပြောရလျှင် 2D အလွှာကြားရှိ အင်တာဖေ့စ် TBC သည် 2D အလွှာနှင့် 3D SiO2 အလွှာကြားရှိ အင်တာဖေ့စ် TBC ထက် နိမ့်သည် (4b).

လေ့လာမှု၏ထူးခြားချက်များနှင့်အသေးစိတ်သိကျွမ်းသူများအတွက်၊ ကြည့်ရှုရန်အကြံပြုလိုပါသည်။ သိပ္ပံပညာရှင်များ အစီရင်ခံစာတွင် ဖော်ပြထားသည်။ и အပိုပစ္စည်းများ သူ့ကို။

epilogue

သိပ္ပံပညာရှင်များကိုယ်တိုင် အခိုင်အမာဆိုထားသည့်အတိုင်း ဤသုတေသနသည် ကျွန်ုပ်တို့အား အက်တမ်အပူမျက်နှာပြင်များ အကောင်အထည်ဖော်ရာတွင် အသုံးချနိုင်သည့် အသိပညာကိုပေးသည်။ ဤအလုပ်သည် သဘာဝတွင် မတွေ့နိုင်သော အပူလျှပ်ကာသတ္တုပစ္စည်းများ ဖန်တီးနိုင်ခြေကို ပြသခဲ့သည်။ ထို့အပြင်၊ လေ့လာမှုသည် အလွှာများ၏ အက်တမ်စကေးများရှိနေသော်လည်း ထိုကဲ့သို့သော အဆောက်အဦများ၏ တိကျသော အပူချိန်တိုင်းတာခြင်းများကို လုပ်ဆောင်နိုင်ခြေကိုလည်း အတည်ပြုခဲ့သည်။

အထက်တွင်ဖော်ပြထားသော heterostructures များသည် အလွန်ပေါ့ပါးပြီး ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသောအပူ "ဒိုင်းများ" အတွက် အခြေခံဖြစ်လာနိုင်သည်၊ ဥပမာ၊ အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းရှိ အပူရှိန်များမှ အပူများကို ဖယ်ရှားနိုင်သည့် အခြေခံဖြစ်လာနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ ဤနည်းပညာကို အပူချိန် ဂျင်နရေတာများ သို့မဟုတ် အပူဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသော စက်များတွင် အသုံးပြုနိုင်ပြီး ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်နိုင်သည်။

ဤလေ့လာမှုသည် ကမ္ဘာဂြိုဟ်၏ အကန့်အသတ်ရှိသော အရင်းအမြစ်များနှင့် နည်းပညာဆန်းသစ်တီထွင်မှု အမျိုးအစားအားလုံးအတွက် စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်မှုအတွက် တောင်းဆိုနေသော မိုက်မဲသော အကြံဉာဏ်တစ်ခုဖြစ်သည့် "လက်စွပ်အတွင်း ထိရောက်မှု" နိယာမကို အလေးအနက် စိတ်ဝင်စားကြောင်း ဤလေ့လာမှုက ထပ်မံအတည်ပြုပါသည်။

သင့်အာရုံစူးစိုက်မှုအတွက် ကျေးဇူးတင်ပါသည်၊ စူးစမ်းလေ့လာပြီး လူတိုင်းအတွက် ကောင်းမွန်သော ရက်သတ္တပတ်ကို ပိုင်ဆိုင်နိုင်ပါစေ။ 🙂

ကျွန်ုပ်တို့နှင့်အတူရှိနေသည့်အတွက် ကျေးဇူးတင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ဆောင်းပါးများကို သင်နှစ်သက်ပါသလား။ ပိုစိတ်ဝင်စားစရာကောင်းတဲ့ အကြောင်းအရာတွေကို ကြည့်ချင်ပါသလား။ မှာယူမှုတစ်ခုပြုလုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် သူငယ်ချင်းများကို အကြံပြုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့အား ပံ့ပိုးကူညီပါ၊ သင့်အတွက်ကျွန်ုပ်တို့တီထွင်ခဲ့သော ဝင်ခွင့်အဆင့်ဆာဗာများ၏ ထူးခြားသော analogue တွင် Habr အသုံးပြုသူများအတွက် 30% လျှော့စျေး- VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps သို့မဟုတ် $20 မှ ဆာဗာတစ်ခုမျှဝေပုံနှင့်ပတ်သက်သော အမှန်တရားတစ်ခုလုံး။ (RAID1 နှင့် RAID10၊ 24 cores အထိနှင့် 40GB DDR4 အထိ)။

Dell R730xd က ၂ ဆ ပိုစျေးသက်သာလား။ ဒီမှာသာ 2 x Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 TV ကို $199 မှ နယ်သာလန်မှာ Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 မှ။ အကြောင်းဖတ်ပါ။ Infrastructure Corp ကို ဘယ်လိုတည်ဆောက်မလဲ။ တစ်ပြားတစ်ချပ်အတွက် ယူရို ၉၀၀၀ တန် Dell R730xd E5-2650 v4 ဆာဗာများကို အသုံးပြုခြင်း။

source: www.habr.com