Samsung သည် FinFET ကိုအစားထိုးမည့် ထရန်စစ္စတာများအကြောင်းပြောခဲ့သည်။

အကြိမ်များစွာ အစီရင်ခံခဲ့သည်အတိုင်း၊ 5 nm ထက်သေးငယ်သော ထရန်စစ္စတာဖြင့် လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ယနေ့တွင်၊ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်သူများသည် ဒေါင်လိုက် FinFET ဂိတ်များကို အသုံးပြု၍ အဆင့်မြင့်ဆုံးဖြေရှင်းချက်များကို ထုတ်လုပ်နေပါသည်။ FinFET ထရန်စစ္စတာများသည် 5-nm နှင့် 4-nm နည်းပညာဆိုင်ရာလုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်နိုင်ဆဲဖြစ်သည် (ဤစံချိန်စံညွှန်းများက မည်သို့ပင်ဆိုလိုသည်)၊ သို့သော် 3-nm တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများထုတ်လုပ်သည့်အဆင့်တွင်၊ FinFET တည်ဆောက်ပုံများသည် ၎င်းတို့လုပ်ဆောင်သင့်သည့်အတိုင်း အလုပ်မလုပ်တော့ပါ။ ထရန်စစ္စတာများ၏ ဂိတ်ပေါက်များသည် သေးငယ်လွန်းပြီး ထိန်းချုပ်မှုဗို့အား နည်းပါးနေပါက ထရန်စစ္စတာများသည် ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များတွင် ဂိတ်များအဖြစ် ၎င်းတို့၏ လုပ်ငန်းဆောင်တာများကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်ရန် မလုံလောက်ပါ။ ထို့ကြောင့် စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် အထူးသဖြင့် Samsung သည် 3nm လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာမှစတင်ကာ အဝိုင်း သို့မဟုတ် GAA (Gate-All-Around) ဂိတ်များပါရှိသော ထရန်စစ္စတာများ ထုတ်လုပ်မှုသို့ ပြောင်းလဲမည်ဖြစ်သည်။ မကြာသေးမီက ထုတ်ပြန်ချက်တစ်ခုအရ Samsung သည် ထရန်စစ္စတာအသစ်များ၏ တည်ဆောက်ပုံနှင့် ၎င်းတို့ကို အသုံးပြုခြင်း၏ အားသာချက်များအကြောင်း အမြင်အာရုံ infographic ကို ပြသခဲ့သည်။

အထက်ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ကုန်ထုတ်လုပ်မှု စံချိန်စံညွှန်းများ ကျဆင်းလာသည်နှင့်အမျှ ဂိတ်များသည် တံခါးအောက်ရှိ ဧရိယာတစ်ခုတည်းကို ထိန်းချုပ်နိုင်သော အခင်းအကျင်းများမှ ပြောင်းလဲလာကာ၊ ထောင့်သုံးဘက်ရှိ တံခါးများဖြင့် ဝန်းရံထားသည့် ဒေါင်လိုက်လမ်းကြောင်းများအထိ၊ နောက်ဆုံးတွင် တံခါးများဖြင့် ဝန်းရံထားသော လမ်းကြောင်းများဆီသို့ ရွေ့လျားလာသည်။ လေးဘက်လုံး။ ဤလမ်းကြောင်း တစ်ခုလုံးသည် ထိန်းချုပ်ထားသော ချန်နယ်တစ်ဝိုက်ရှိ ဂိတ်ဧရိယာ တိုးလာသဖြင့် ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများ၏ လက်ရှိဝိသေသလက္ခဏာများကို မထိခိုက်စေဘဲ ထရန်စစ္စတာများသို့ ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို လျှော့ချနိုင်စေကာ၊ ထို့ကြောင့် ထရန်စစ္စတာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည် တိုးမြင့်လာစေသည်။ နှင့် ယိုစိမ့်သောရေစီးကြောင်းများ ကျဆင်းခြင်း။ ယင်းနှင့်ပတ်သက်၍၊ GAA ထရန်စစ္စတာများသည် ဖန်တီးမှု၏သရဖူအသစ်ဖြစ်လာမည်ဖြစ်ပြီး ဂန္တဝင် CMOS နည်းပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်များကို သိသာထင်ရှားစွာ ပြန်လည်လုပ်ဆောင်ရန် မလိုအပ်ပါ။

ဂိတ်ဝန်းရံထားသော ချန်နယ်များကို ပါးလွှာသောတံတားများ (nanowires) ပုံစံ သို့မဟုတ် ကျယ်ပြန့်သော တံတားများ သို့မဟုတ် နာနိုပေ့ခ်ျပုံစံဖြင့် ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ Samsung သည် nanopages များကို မျက်နှာသာပေးကာ ၎င်း၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မူပိုင်ခွင့်ဖြင့် ကာကွယ်ရန် တောင်းဆိုထားသော်လည်း၊ ၎င်းသည် IBM နှင့် အခြားသောကုမ္ပဏီများနှင့် မဟာမိတ်ဖွဲ့ထားဆဲဖြစ်ပြီး၊ ဥပမာ၊ AMD နှင့် မဟာမိတ်ဖွဲ့ထားစဉ်တွင် ယင်းဖွဲ့စည်းပုံအားလုံးကို တီထွင်ခဲ့သည်။ Samsung သည် ထရန်စစ္စတာအသစ်များကို GAA ဟုခေါ်ဆိုမည်မဟုတ်သော်လည်း မူပိုင်အမည် MBCFET (Multi Bridge Channel FET) ဖြစ်သည်။ ကျယ်ပြန့်သော ချန်နယ်စာမျက်နှာများသည် nanowire ချန်နယ်များတွင် အောင်မြင်ရန်ခက်ခဲသည့် သိသာထင်ရှားသောရေစီးကြောင်းများကို ပေးစွမ်းမည်ဖြစ်သည်။

Ring Gates သို့ ကူးပြောင်းခြင်းသည် ထရန်စစ္စတာဖွဲ့စည်းပုံအသစ်များ၏ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကိုလည်း တိုးတက်စေမည်ဖြစ်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ transistor ၏ supply voltage ကို လျှော့ချနိုင်သည်။ FinFET တည်ဆောက်ပုံများအတွက်၊ ကုမ္ပဏီသည် အခြေအနေအရ ပါဝါလျှော့ချရေး ကန့်သတ်ချက် 0,75 V ဟုခေါ်သည်။ MBCFET ထရန်စစ္စတာများသို့ ကူးပြောင်းခြင်းသည် ဤကန့်သတ်ချက်ကို ပို၍ပင် နိမ့်စေမည်ဖြစ်သည်။

ကုမ္ပဏီသည် MBCFET ထရန်စစ္စတာများ၏ ထူးထူးခြားခြား လိုက်လျောညီထွေရှိသော ဖြေရှင်းနည်းများ ၏နောက်ထပ်အားသာချက်ကို ခေါ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ ထုတ်လုပ်မှုအဆင့်ရှိ FinFET ထရန်စစ္စတာများ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများကိုသာ မသိမသာ ထိန်းချုပ်နိုင်ပါက၊ ထရန်စစ္စတာတစ်ခုစီအတွက် ပရောဂျက်တစ်ခုစီတွင် အစွန်းအမြောက်အများထည့်ကာ MBCFET ထရန်စစ္စတာများဖြင့် ဆားကစ်များကို ဒီဇိုင်းထုတ်ခြင်းသည် ပရောဂျက်တစ်ခုစီအတွက် အကောင်းဆုံးချိန်ညှိမှုပုံစံနှင့် ဆင်တူမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်လုပ်ဆောင်ရန်အလွန်ရိုးရှင်းလိမ့်မည်- ၎င်းသည်လိုအပ်သော nanopage ချန်နယ်များ၏ width ကိုရွေးချယ်ရန်လုံလောက်လိမ့်မည်၊ ၎င်းသည် parameter ကို linearly ပြောင်းလဲနိုင်သည်။

MBCFET ထရန်စစ္စတာများ ထုတ်လုပ်မှုအတွက်၊ အထက်တွင်ဖော်ပြခဲ့သည့်အတိုင်း၊ စက်ရုံများတွင် တပ်ဆင်ထားသော ဂန္ထဝင် CMOS နည်းပညာနှင့် စက်မှုပစ္စည်းကိရိယာများသည် သိသာထင်ရှားသောပြောင်းလဲမှုမရှိဘဲ သင့်လျော်ပါသည်။ ဆီလီကွန် wafers များ၏ စီမံဆောင်ရွက်သည့် အဆင့်မှသာလျှင် နားလည်နိုင်သော အသေးစား ပြုပြင်မွမ်းမံမှုများ လိုအပ်မည်ဖြစ်ပြီး၊ အဆက်အသွယ်အုပ်စုများနှင့် သတ္တုပြုလုပ်ခြင်းအလွှာ၏တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းတွင် သင်သည် မည်သည့်အရာကိုမျှ ပြောင်းလဲရန်ပင်မလိုအပ်ပါ။

နိဂုံးချုပ်အနေဖြင့် Samsung သည် 3nm လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာနှင့် MBCFET ထရန်စစ္စတာများသို့ အသွင်ကူးပြောင်းမှုသို့ အသွင်ကူးပြောင်းမှုတွင် အရည်အသွေးကောင်းမွန်သော ဖော်ပြချက်တစ်ခုကို ပေးသည် (ရှင်းလင်းရန်၊ Samsung သည် 3nm လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာအကြောင်း တိုက်ရိုက်ပြောနေခြင်းမဟုတ်သော်လည်း ယခင်ဖော်ပြခဲ့သည်၊ 4nm လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာသည် FinFET ထရန်စစ္စတာများကို ဆက်လက်အသုံးပြုနိုင်မည်ဖြစ်သည်။) ထို့ကြောင့် 7nm FinFET လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စံအသစ်သို့ ရွေ့လျားပြီး MBCFET သည် စားသုံးမှု 50% လျှော့ချခြင်း၊ စွမ်းဆောင်ရည် 30% တိုးလာပြီး ချစ်ပ်ဧရိယာ 45% လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်သည်။ “ဖြစ်စေ” မဟုတ်ဘဲ လုံးလုံးလျားလျားဖြစ်သည်။ ဘယ်အချိန်မှာ ဒီလိုဖြစ်မလဲ။ 2021 နှစ်ကုန်ပိုင်းမှာ ဒီလိုဖြစ်လာနိုင်ပါတယ်။

source: 3dnews.ru