MIPT का वैज्ञानिकहरूले नयाँ "फ्ल्यास ड्राइभ" को उदय तिर एक कदम चालेका छन्।

डिजिटल डाटाको गैर-अस्थिर भण्डारणको लागि उपकरणहरूको सिर्जना र विकास धेरै दशकहरूदेखि भइरहेको छ। NAND मेमोरी द्वारा 20 वर्ष भन्दा कम अघि एक वास्तविक सफलता बनाइएको थियो, यद्यपि यसको विकास 20 वर्ष पहिले सुरु भएको थियो। आज, ठूलो मात्रामा अनुसन्धान सुरु भएको लगभग आधा शताब्दी पछि, उत्पादनको सुरुवात र NAND सुधार गर्न निरन्तर प्रयासहरू, यस प्रकारको मेमोरीले यसको विकास क्षमता समाप्त गर्न नजिक छ। यो राम्रो ऊर्जा, गति र अन्य विशेषताहरु संग अर्को मेमोरी सेल मा संक्रमण को लागि जग राख्न आवश्यक छ। लामो अवधिमा, यस्तो मेमोरी फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरीको नयाँ प्रकार हुन सक्छ।

फेरोइलेक्ट्रिक्स (फेरोइलेक्ट्रिक शब्द विदेशी साहित्यमा प्रयोग गरिन्छ) डाइलेक्ट्रिकहरू हुन् जसमा लागू विद्युतीय क्षेत्रको मेमोरी हुन्छ वा, अर्को शब्दमा, चार्जहरूको अवशिष्ट ध्रुवीकरण द्वारा विशेषता हुन्छ। फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी कुनै नयाँ कुरा होइन। चुनौती फेरोइलेक्ट्रिक सेलहरू नानोस्केल स्तरमा मापन गर्नु थियो।

तीन वर्ष पहिले, MIPT मा वैज्ञानिकहरू प्रस्तुत हाफनियम अक्साइड (HfO2) मा आधारित फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरीको लागि पातलो-फिल्म सामग्री निर्माण गर्ने प्रविधि। यो पनि अद्वितीय सामग्री होइन। यो डाइलेक्ट्रिक प्रोसेसर र अन्य डिजिटल तर्कहरूमा धातु गेटहरूसँग ट्रान्जिस्टरहरू बनाउन लगातार पाँच वर्षको लागि प्रयोग गरिएको छ। MIPT मा प्रस्तावित 2,5 nm को मोटाई संग hafnium र zirconium अक्साइड को मिश्र धातु polycrystalline फिल्महरु मा आधारित, यो ferroelectric गुणहरु संग संक्रमणहरु सिर्जना गर्न सम्भव थियो।

फेरोइलेक्ट्रिक क्यापेसिटरहरू (जसरी तिनीहरू MIPT मा बोलाउन थाले) मेमोरी सेलहरूको रूपमा प्रयोग गर्नका लागि, यो उच्चतम सम्भावित ध्रुवीकरण प्राप्त गर्न आवश्यक छ, जसको लागि नानोलेयरमा भौतिक प्रक्रियाहरूको विस्तृत अध्ययन आवश्यक छ। विशेष गरी, भोल्टेज लागू हुँदा तह भित्र विद्युतीय क्षमताको वितरणको एक विचार प्राप्त गर्नुहोस्। भर्खरै सम्म, वैज्ञानिकहरूले घटनाको वर्णन गर्न गणितीय उपकरणमा मात्र भर पर्न सक्थे, र अब मात्र एक प्रविधि लागू गरिएको छ जसको साथ यो घटनाको प्रक्रियाको क्रममा सामग्री भित्र हेर्न सम्भव थियो।

प्रस्तावित प्रविधि, जुन उच्च-ऊर्जा एक्स-रे फोटोइलेक्ट्रोन स्पेक्ट्रोस्कोपीमा आधारित छ, विशेष स्थापना (सिंक्रोट्रोन एक्सेलेटर) मा मात्र लागू गर्न सकिन्छ। यो ह्याम्बर्ग (जर्मनी) मा अवस्थित छ। MIPT मा निर्मित hafnium oxide-based "ferroelectric capacitors" को साथ सबै प्रयोगहरू जर्मनीमा भएको थियो। गरेको कामको बारेमा एक लेख प्रकाशित भएको थियो नानोस्केल.

"हाम्रो प्रयोगशालामा बनाइएको फेरोइलेक्ट्रिक क्यापेसिटरहरू, यदि गैर-अस्थिर मेमोरी सेलहरूको औद्योगिक उत्पादनको लागि प्रयोग गरिन्छ भने, 1010 पुन: लेख्ने चक्रहरू प्रदान गर्न सक्षम छन् - आधुनिक कम्प्युटर फ्ल्यास ड्राइभले अनुमति दिएको भन्दा एक लाख गुणा बढी," एन्ड्रेई जेन्केभिच भन्छन्। कामका लेखकहरू, nanoelectronics MIPT को लागि कार्यात्मक सामग्री र उपकरणहरूको प्रयोगशालाको प्रमुख। यसरी, अझै धेरै, धेरै कदमहरू चाल्न बाँकी रहे पनि, नयाँ स्मृति तिर अर्को कदम चालिएको छ।

स्रोत: 3dnews.ru