Edini svetovni razvijalec diskretnih magnetorezivnih pomnilniških čipov MRAM, Everspin Technologies, še naprej izboljšuje proizvodne tehnologije. Danes Everspin in GlobalFoundries skupaj za razvoj tehnologije za proizvodnjo mikrovezij STT-MRAM z 12 nm standardi in tranzistorji FinFET.
Everspin ima več kot 650 patentov in aplikacij, povezanih s pomnilnikom MRAM. To je pomnilnik, katerega zapisovanje v celico je podobno zapisovanju informacij na magnetno ploščo trdega diska. Samo pri mikrovezjih ima vsaka celica svojo (pogojno) magnetno glavo. Nadomestil ga je pomnilnik STT-MRAM, ki temelji na učinku prenosa vrtilne količine elektrona, deluje s še nižjimi stroški energije, saj uporablja nižje tokove v načinih pisanja in branja.
Sprva je pomnilnik MRAM, ki ga je naročil Everspin, proizvajal NXP v svoji tovarni v ZDA. Leta 2014 je Everspin sklenil pogodbo o skupnem delu z GlobalFoundries. Skupaj so začeli razvijati proizvodne procese diskretnega in vgrajenega MRAM (STT-MRAM) z uporabo naprednejših proizvodnih procesov.
Sčasoma so obrati GlobalFoundries začeli s proizvodnjo 40-nm in 28-nm čipov STT-MRAM (končali z novim izdelkom - 1-Gbitnim diskretnim čipom STT-MRAM) ter pripravili procesno tehnologijo 22FDX za integracijo STT- Nizi MRAM v krmilnike z uporabo 22-nm nm procesne tehnologije na rezinah FD-SOI. Nova pogodba med Everspin in GlobalFoundries bo vodila do prenosa proizvodnje čipov STT-MRAM na 12-nm procesno tehnologijo.
Pomnilnik MRAM se približuje zmogljivosti pomnilnika SRAM in ga lahko potencialno nadomesti v krmilnikih za internet stvari. Hkrati je nehlapen in veliko bolj odporen proti obrabi kot običajni pomnilnik NAND. Prehod na 12 nm standarde bo povečal gostoto zapisa MRAM, in to je njegova glavna pomanjkljivost.
Vir: 3dnews.ru