Pomnilniški moduli, zgrajeni na čipih Samsung B-die, so morda ena najbolj priljubljenih možnosti med navdušenci. Vendar jih južnokorejski proizvajalec šteje za zastarele in trenutno ustavlja njihovo proizvodnjo ter ponuja zamenjavo z drugimi pomnilniškimi čipi DDR4, katerih proizvodnja uporablja novejše tehnične postopke. To pomeni, da so Samsungovi neomejeni pomnilniški moduli DDR4, ki temeljijo na čipih B-die, dosegli konec svojega življenjskega cikla in jih kmalu ne bo na zalogi. Tudi drugi proizvajalci, ki v svojih izdelkih uporabljajo čipe Samsung B-die, bodo prenehali dobavljati podobne module.
Čipi Samsung B-die in pomnilniški moduli, ki temeljijo na njih, so pridobili široko priznanje zaradi svoje vsestranskosti in potenciala overclockinga. Popolnoma prilagajajo frekvenco, dobro se odzivajo na povečanja napajalne napetosti in omogočajo delovanje z izjemno agresivnimi časovnimi intervali. Ločena pomembna prednost modulov, ki temeljijo na čipih Samsung B-die, je njihova nezahtevnost in široka združljivost z različnimi krmilniki pomnilnika, za kar jih še posebej ljubijo lastniki sistemov, ki temeljijo na procesorjih Ryzen.
Vendar pa se za proizvodnjo čipov B-die uporablja precej star tehnološki proces z 20 nm standardi, zato je želja Samsunga, da opusti proizvodnjo takšnih polprevodniških naprav v korist sodobnejših alternativ, povsem razumljiva. Pred kratkim je podjetje objavilo začetek proizvodnje čipov DDR4 SDRAM s tehnologijo 1z-nm (tretja generacija), čipi, proizvedeni s tehnologijo 1y-nm (druga generacija), pa se proizvajajo že več kot leto in pol. Proizvajalec vas spodbuja, da preklopite nanje. B-die čipom je uradno dodeljen status EOL (End of Life) – konec življenjskega cikla.
Namesto legendarnih čipov Samsung B-die bodo zdaj razdeljene druge ponudbe. M-die čipi, ki so ustvarjeni z 1y nm procesno tehnologijo, so dosegli stopnjo množične proizvodnje. A-die čipi, proizvedeni s še naprednejšo tehnologijo s standardi 1z nm, so prav tako dosegli fazo kvalifikacijske proizvodnje. To pomeni, da bo pomnilnik na čipih M-die naprodaj v zelo bližnji prihodnosti, moduli, zgrajeni na čipih A-die, pa bodo uporabnikom na voljo v šestih mesecih.
Glavna prednost novih pomnilniških čipov s posodobljenimi jedri je poleg sodobnih tehničnih procesov in potencialno višjega frekvenčnega potenciala tudi njihova povečana zmogljivost. Omogočajo izdelavo enostranskih pomnilniških modulov DDR4 s kapaciteto 16 GB in dvostranskih modulov s kapaciteto 32 GB, kar je bilo prej nemogoče.
Spomnimo se, da lahko to poletje pričakujemo pomembne spremembe v ponudbi pomnilniških modulov DDR4 SDRAM, ki so na voljo na trgu. Poleg novih čipov Samsung naj bi se v pomnilniških trakovih uporabljali tudi čipi E-die podjetja Micron in C-die podjetja SK Hynix. Verjetno bodo vse te spremembe povzročile povečanje ne le povprečnega obsega, ampak tudi frekvenčnega potenciala povprečnih modulov DDR4 SDRAM.
Vir: 3dnews.ru