ขณะนี้ส่วนหน่วยความจำ HBM กำลังพัฒนาแบบไดนามิกอย่างมาก เนื่องจากเป็นส่วนที่ใช้ในการเร่งความเร็วการประมวลผลที่เป็นที่ต้องการของตลาดสำหรับระบบปัญญาประดิษฐ์ Samsung Electronics ประกาศการพัฒนา HBM12E stack 3 ชั้นตัวแรกของโลกที่มีความจุรวม 36 GB ซึ่งให้การถ่ายโอนข้อมูลด้วยความเร็ว 1280 GB/s แหล่งที่มาของภาพ: Samsung Electronics
ที่มา: 3dnews.ru