基于三星 B-die 芯片构建的内存模块可能是爱好者中最受欢迎的选择之一。然而，这家韩国制造商认为它们已经过时，目前正在停止生产，并提供其他 DDR4 内存芯片的替代品，其生产采用更新的技术工艺。这意味着三星基于 B-die 芯片的无缓冲 DDR4 内存模块现已达到生命周期终点，很快就会缺货。其他在其产品中使用三星 B-die 芯片的制造商也将停止供应类似模块。
三星 B-die 芯片和基于它们的内存模块因其多功能性和超频潜力而赢得了广泛认可。它们的频率可完美调节，对电源电压的增加响应良好，并允许以极其激进的时序运行。基于三星 B-die 芯片的模块的另一个重要优势是它们的朴实无华以及与各种内存控制器的广泛兼容性，因此它们特别受到基于 Ryzen 处理器的系统所有者的喜爱。
然而，对于 B-die 芯片的生产，使用的是 20 nm 标准的相当古老的技术工艺，因此三星希望放弃此类半导体设备的生产而转而采用更现代的替代品是可以理解的。不久前，该公司宣布开始生产采用4z纳米技术（第三代）的DDR1 SDRAM芯片，而采用1y纳米技术（第二代）生产的芯片已经生产了一年半多。制造商鼓励您改用这些。 B-die 芯片已正式获得 EOL（End of Life）状态 - 生命周期结束。
现在将分发其他产品，而不是传奇的三星 B-die 芯片。采用1y nm工艺技术制造的M-die芯片已达到量产阶段。采用更先进的 1z nm 标准技术生产的 A-die 芯片也已达到生产资格阶段。这意味着 M 芯片上的内存将在不久的将来开始销售，而基于 A 芯片的模块将在六个月内向用户提供。
除了现代技术工艺和潜在的更高频率潜力之外，具有更新内核的新型存储芯片的主要优势还在于容量的增加。它们可以生产容量为 4 GB 的单面 DDR16 内存模块和容量为 32 GB 的双面模块，这在以前是不可能的。
值得回顾的是，今年夏天，我们预计市场上可用的 DDR4 SDRAM 内存模块范围将发生重大变化。除了三星的新芯片外，内存条也应该使用美光的E-die芯片和SK海力士的C-die芯片。所有这些变化很可能不仅会导致平均体积的增加，还会导致平均 DDR4 SDRAM 模块频率潜力的增加。
来源： 3dnews.ru