半導體生產發展的障礙不再是壁壘,而是高牆。 然而,根據 55 年前的經驗證據,該行業正在一步步向前發展。
為了不讓 IC Insights 的分析毫無根據
分析師指出,在過去的10到15年裡,功耗和尺寸限制等因素已經開始強烈影響一些整合產品中電晶體數量的成長率。 但總的來說,晶片設計和生產的新發展和新方法使我們可以指望摩爾定律的繼續保持。
因此,DRAM記憶體晶片中的電晶體數量在2000年代初以平均每年約45%的速度成長,但自2016年三星推出20-Gbit記憶體晶體以來,每年成長速度放緩至16%。 JEDEC 仍在敲定的 DDR5 標準將包括容量為 24 Gbit、32 Gbit 和 64 Gbit 的單晶片裝置,這是一個新的飛躍。
直到 2012 年,快閃記憶體密度的年增長率一直維持在每年 55-60%,但此後已下降至每年 30-35%。 對於平面快閃記憶體晶片,最高密度為 128 Gbit(資料截至 2020 年 3 月)。 但 1,33D NAND 晶片的最大密度達到 96 Tbit,為每單元四位 (QLC) 的 1,5 層記憶體。 到今年年底,預計將出現 128 Tbit 2 層微電路,隨後容量將增加至 XNUMX Tbit。
直到 2010 年,英特爾 PC 微處理器中的電晶體數量每年增長約 40%,但在隨後的幾年中這一數字減少了一半。 該公司伺服器處理器中的晶體管數量持續增長。 這種增長在 2000 年代中後期陷入停滯,但隨後以每年約 25% 的速度恢復。 英特爾於 2017 年停止披露電晶體數量細節。
自 2013 年以來,蘋果 iPhone 智慧型手機和 iPad 平板電腦中的應用處理器中的電晶體數量每年增加 43%。 該數字包括來自具有 13 億個電晶體的 A8,5 處理器的數據。 蘋果預計在 2020 年上半年推出搭載全新 A13X 處理器的 iPad Pro。
NVIDIA 的高效能 GPU 具有極高的電晶體數量。 與微處理器不同,GPU 具有最高程度的架構並行性,不包含大量高速緩存,為邏輯(電晶體)留下了大量空間。 該公司對機器學習和人工智慧加速器的持續關注只會推動這一趨勢。
來源: 3dnews.ru