Samsung Electronics gələcək flaqman smartfon və fabletlər üçün yeni nəsil RAM modullarının kütləvi istehsalının təşkilini elan edib.
Söhbət 4 GB tutumlu LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 12X) məhsullarından gedir. Onlar altı 16 giqabitlik çipi tək paketdə birləşdirir. İstehsalda ikinci nəsil 10 nanometr sinif (1y-nm) texnologiyasından istifadə edilir.
Qeyd olunur ki, modulların qalınlığı cəmi 1,1 millimetrdir. Bu, mobil cihazların daxili dizaynını optimallaşdıracaq, məsələn, batareya üçün daha çox yer boşaldacaq.
Samsung deyir ki, smartfonlarda 12 GB RAM olması yeni imkanlar açacaq. Belə qurğular beşdən çox kamera, qabaqcıl süni intellekt, böyük yüksək ayırdetmə ekranları, beşinci nəsil rabitə xidmətlərindən (5G) və s. istifadə edə biləcək.
Əlavə edirik ki, Cənubi Koreya nəhəngi bu yaxınlarda yuxarı qiymət kateqoriyasındakı smartfonlar üçün 3.0 GB tutumlu eUFS 512 fleş disklərini təqdim etdi. Bu məhsullar 2100 MB/s-ə qədər ardıcıl oxuma sürətini təmin edir. Bu ilin ikinci yarısında 3.0 TB tutumlu eUFS 1 modullarının kütləvi istehsalına başlanılması planlaşdırılır.
Mənbə: 3dnews.ru
