Everspin এবং GlobalFoundries তাদের MRAM যৌথ উন্নয়ন চুক্তি 12nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তিতে প্রসারিত করেছে

বিচ্ছিন্ন ম্যাগনেটোরেসিটিভ এমআরএএম মেমরি চিপগুলির বিশ্বের একমাত্র বিকাশকারী, এভারস্পিন টেকনোলজিস, উত্পাদন প্রযুক্তির উন্নতি অব্যাহত রেখেছে। আজ Everspin এবং GlobalFoundries একমত হয়েছে একসাথে 12 এনএম স্ট্যান্ডার্ড এবং ফিনএফইটি ট্রানজিস্টর সহ এসটিটি-এমআরএএম মাইক্রোসার্কিট তৈরির জন্য প্রযুক্তি বিকাশ করা।

এভারস্পিনের 650 টিরও বেশি পেটেন্ট এবং এমআরএএম মেমরি সম্পর্কিত অ্যাপ্লিকেশন রয়েছে। এটি একটি মেমরি, যার কোষে লেখা একটি হার্ড ডিস্কের চৌম্বকীয় প্লেটে তথ্য লেখার অনুরূপ। শুধুমাত্র মাইক্রোসার্কিটের ক্ষেত্রে প্রতিটি কোষের নিজস্ব (শর্তসাপেক্ষ) চৌম্বকীয় মাথা থাকে। STT-MRAM মেমরি যা এটিকে প্রতিস্থাপন করেছে, ইলেক্ট্রন স্পিন মোমেন্টাম ট্রান্সফার ইফেক্টের উপর ভিত্তি করে, এমনকি কম শক্তি খরচের সাথে কাজ করে, কারণ এটি লেখা এবং পড়ার মোডে নিম্ন স্রোত ব্যবহার করে।

প্রাথমিকভাবে, Everspin দ্বারা আদেশকৃত MRAM মেমরি NXP দ্বারা মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রে তার প্ল্যান্টে উত্পাদিত হয়েছিল। 2014 সালে, এভারস্পিন গ্লোবালফাউন্ড্রিজের সাথে একটি যৌথ কাজের চুক্তিতে প্রবেশ করে। একসাথে, তারা আরও উন্নত উত্পাদন প্রক্রিয়া ব্যবহার করে বিচ্ছিন্ন এবং এমবেডেড MRAM (STT-MRAM) উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলি বিকাশ করতে শুরু করে।

সময়ের সাথে সাথে, গ্লোবালফাউন্ড্রিজ সুবিধাগুলি 40-nm এবং 28-nm STT-MRAM চিপগুলির উত্পাদন শুরু করে (একটি নতুন পণ্যের সাথে শেষ হয় - একটি 1-Gbit বিচ্ছিন্ন STT-MRAM চিপ), এবং STT-কে একীভূত করার জন্য 22FDX প্রক্রিয়া প্রযুক্তিও প্রস্তুত করে। FD-SOI ওয়েফারগুলিতে 22-nm nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে কন্ট্রোলারগুলিতে MRAM অ্যারে করে। Everspin এবং GlobalFoundries-এর মধ্যে নতুন চুক্তি STT-MRAM চিপগুলির উত্পাদনকে 12-nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তিতে স্থানান্তরিত করবে।

MRAM মেমরি SRAM মেমরির পারফরম্যান্সের কাছাকাছি আসছে এবং সম্ভাব্যভাবে ইন্টারনেট অফ থিংসের জন্য কন্ট্রোলারে এটি প্রতিস্থাপন করতে পারে। একই সময়ে, এটি অ-উদ্বায়ী এবং প্রচলিত NAND মেমরির তুলনায় অনেক বেশি প্রতিরোধী। 12 এনএম স্ট্যান্ডার্ডে রূপান্তর MRAM এর রেকর্ডিং ঘনত্বকে বাড়িয়ে তুলবে এবং এটি এর প্রধান ত্রুটি।

উত্স: 3dnews.ru