Samsung desenvolveu memoria HBM12E de 3 capas cunha capacidade de rexistro de 36 GB por pila

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с. Источник изображения: Samsung Electronics
Fonte: 3dnews.ru

Engadir un comentario