Everspin અને GlobalFoundries એ તેમના MRAM સંયુક્ત વિકાસ કરારને 12nm પ્રોસેસ ટેકનોલોજી સુધી વિસ્તાર્યો છે

અલગ મેગ્નેટોરેસિસ્ટિવ એમઆરએએમ મેમરી ચિપ્સના વિશ્વના એકમાત્ર વિકાસકર્તા, એવરસ્પિન ટેક્નોલોજીસ, ઉત્પાદન તકનીકોમાં સુધારો કરવાનું ચાલુ રાખે છે. આજે Everspin અને GlobalFoundries સંમત થયા છે 12 nm ધોરણો અને FinFET ટ્રાન્ઝિસ્ટર સાથે STT-MRAM માઈક્રોસિર્કિટના ઉત્પાદન માટે ટેક્નોલોજી વિકસાવવા માટે એકસાથે.

Everspin પાસે MRAM મેમરી સંબંધિત 650 થી વધુ પેટન્ટ અને એપ્લિકેશન્સ છે. આ મેમરી છે, જેનું કોષમાં લખવું એ હાર્ડ ડિસ્કની ચુંબકીય પ્લેટ પર માહિતી લખવા જેવું જ છે. માત્ર માઇક્રોસિર્કિટના કિસ્સામાં દરેક કોષનું પોતાનું (શરતી) ચુંબકીય હેડ હોય છે. ઇલેક્ટ્રોન સ્પિન મોમેન્ટમ ટ્રાન્સફર ઇફેક્ટ પર આધારિત STT-MRAM મેમરી કે જેણે તેને બદલ્યું છે, તે પણ ઓછા ઉર્જા ખર્ચ સાથે કાર્ય કરે છે, કારણ કે તે લખવા અને વાંચવાની સ્થિતિમાં નીચા પ્રવાહોનો ઉપયોગ કરે છે.

શરૂઆતમાં, Everspin દ્વારા ઓર્ડર કરાયેલ MRAM મેમરી NXP દ્વારા યુએસએમાં તેના પ્લાન્ટમાં બનાવવામાં આવી હતી. 2014 માં, Everspin એ GlobalFoundries સાથે સંયુક્ત કાર્ય કરાર કર્યો. સાથે મળીને, તેઓએ વધુ અદ્યતન ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓનો ઉપયોગ કરીને સ્વતંત્ર અને એમ્બેડેડ MRAM (STT-MRAM) ઉત્પાદન પ્રક્રિયાઓ વિકસાવવાનું શરૂ કર્યું.

સમય જતાં, ગ્લોબલફાઉન્ડ્રીઝ સવલતોએ 40-nm અને 28-nm STT-MRAM ચિપ્સનું ઉત્પાદન શરૂ કર્યું (નવા ઉત્પાદન સાથે સમાપ્ત થાય છે - એક 1-Gbit ડિસ્ક્રીટ STT-MRAM ચિપ), અને STT-ને એકીકૃત કરવા માટે 22FDX પ્રક્રિયા તકનીક પણ તૈયાર કરી. MRAM એ FD-SOI વેફર્સ પર 22-nm nm પ્રક્રિયા તકનીકનો ઉપયોગ કરીને નિયંત્રકોમાં એરે કરે છે. Everspin અને GlobalFoundries વચ્ચેનો નવો કરાર STT-MRAM ચિપ્સના ઉત્પાદનને 12-nm પ્રોસેસ ટેકનોલોજીમાં ટ્રાન્સફર કરવા તરફ દોરી જશે.

MRAM મેમરી SRAM મેમરીના પ્રદર્શનની નજીક આવી રહી છે અને તેને ઇન્ટરનેટ ઑફ થિંગ્સ માટે નિયંત્રકોમાં સંભવિત રીતે બદલી શકે છે. તે જ સમયે, તે બિન-અસ્થિર છે અને પરંપરાગત NAND મેમરી કરતાં પહેરવા માટે વધુ પ્રતિરોધક છે. 12 nm ધોરણોમાં સંક્રમણ MRAM ની રેકોર્ડિંગ ઘનતામાં વધારો કરશે, અને આ તેની મુખ્ય ખામી છે.

સોર્સ: 3dnews.ru