Prijelaz sa silicija na poluvodiče sa širokim energetskim razmakom (galijev nitrid, silicijev karbid i drugi) omogućuje znatno veće radne frekvencije i poboljšanu učinkovitost. Stoga je jedna obećavajuća primjena čipova i tranzistora sa širokim energetskim razmakom komunikacija i radar. Elektronika temeljena na GaN-u nudi trenutno povećanje snage i prošireni domet radara, što je vojska odmah iskoristila.
Tvrtka Lockheed Martin Prvi mobilni radarski sustavi temeljeni na elektronici od galijevog nitrida isporučeni su američkoj vojsci. Tvrtka nije izmislila ništa novo. Protubaterijski radari AN/TPQ-53, koji su ušli u upotrebu 2010. godine, pretvoreni su u GaN komponente. Ovo je prvi i zasad jedini radar na svijetu koji koristi poluvodiče sa širokim energetskim razmakom.
Prelaskom na aktivne GaN komponente, radar AN/TPQ-53 povećao je svoj domet detekcije zasjenjenih topničkih položaja i dobio mogućnost istovremenog praćenja zračnih ciljeva. Točnije, radar AN/TPQ-53 počeo se koristiti protiv bespilotnih letjelica (UAV), uključujući male dronove. Identifikacija zasjenjenih topničkih položaja može se izvesti unutar sektora od 90 stupnjeva ili s vidnim poljem od 360 stupnjeva.
Lockheed Martin je jedini dobavljač aktivnih fazno-nizovnih radara američkoj vojsci. Prelazak na GaN komponente omogućuje tvrtki da nastavi vodeću ulogu u razvoju i proizvodnji radarskih sustava u godinama koje dolaze.
Izvor: 3dnews.ru
