A Samsung B-die chipekre épített memóriamodulok talán az egyik legnépszerűbb opció a rajongók körében. A dél-koreai gyártó azonban elavultnak tartja ezeket, és jelenleg leállítja a gyártást, és más DDR4-es memóriachipekre kínálja a cseréket, amelyek gyártása újabb technikai folyamatokat alkalmaz. Ez azt jelenti, hogy a Samsung B-die chipekre épülő, puffereletlen DDR4 memóriamoduljai életciklusuk végére értek, és hamarosan elfogynak. Más gyártók, amelyek termékeikben Samsung B-die chipeket használnak, szintén leállítják a hasonló modulok szállítását.
A Samsung B-die chipek és az ezekre épülő memóriamodulok sokoldalúságuk és túlhajtási lehetőségük miatt széles körben ismertek el. Tökéletesen skálázódnak a frekvenciában, jól reagálnak a tápfeszültség növekedésére, és lehetővé teszik a rendkívül agresszív időzítésű működést. A Samsung B-die chipekre épülő modulok külön fontos előnye az igénytelenség és a különféle memóriavezérlőkkel való széleskörű kompatibilitásuk, amiért különösen szeretik a Ryzen processzorokra épülő rendszerek tulajdonosai.
A B-die chipek gyártásához azonban egy meglehetősen régi, 20 nm-es szabványú technológiai eljárást használnak, így a Samsung azon vágya, hogy felhagyjon az ilyen félvezető eszközök gyártásával a modernebb alternatívák javára, teljesen érthető. Nem sokkal ezelőtt a cég bejelentette, hogy megkezdi az 4z-nm-es technológiával (harmadik generációs) DDR1 SDRAM chipek gyártását, az 1y nm-es technológiával (második generáció) gyártott chipeket pedig már több mint másfél éve gyártják. A gyártó ezekre ösztönzi a váltást. A B-die chipek hivatalosan EOL (End of Life) státuszúak – életciklus vége.
A legendás Samsung B-die chipek helyett ezentúl más ajánlatokat is osztanak majd. Az 1y nm-es eljárási technológiával előállított M-die chipek a tömeggyártás szakaszába jutottak. A még fejlettebb technológiával, 1z nm-es szabványokkal gyártott A-die chipek is elérték a minősített gyártási szakaszt. Ez azt jelenti, hogy az M-die chipek memóriája a közeljövőben értékesítésre kerül, az A-die chipekre épített modulok pedig hat hónapon belül elérhetővé válnak a felhasználók számára.
A frissített magokkal rendelkező új memóriachipek fő előnye a modern technikai eljárások és az esetlegesen magasabb frekvenciapotenciál mellett a megnövekedett kapacitásuk is. Lehetővé teszik 4 GB kapacitású egyoldalas DDR16 memóriamodulok és 32 GB kapacitású kétoldalas modulok gyártását, ami korábban lehetetlen volt.
Érdemes felidézni, hogy idén nyáron jelentős változásokra számíthatunk a piacon elérhető DDR4 SDRAM memóriamodulok kínálatában. Az új Samsung chipek mellett a Micron E-die chipjeit és az SK Hynix C-die chipjeit is érdemes használni a memóriacsíkokban. Valószínű, hogy mindezek a változások nemcsak az átlagos hangerőt, hanem az átlagos DDR4 SDRAM modulok frekvenciapotenciálját is növelik.
Forrás: 3dnews.ru