Everspin и GlobalFoundries го проширија својот договор за заеднички развој на MRAM на 12nm процесна технологија

Единствениот светски развивач на дискретни магнеторезистивни MRAM мемориски чипови, Everspin Technologies, продолжува да ги подобрува производствените технологии. Денес Everspin и GlobalFoundries се согласија заедно да развијат технологија за производство на STT-MRAM микроциркути со 12 nm стандарди и FinFET транзистори.

Everspin има над 650 патенти и апликации поврзани со MRAM меморија. Ова е меморија, запишување во ќелија од која е слично на пишување информации на магнетна плоча на хард диск. Само во случај на микроциркути секоја ќелија има своја (условно) магнетна глава. Меморијата STT-MRAM што ја замени, врз основа на ефектот на пренос на импулс на вртење на електрони, работи со уште помали трошоци за енергија, бидејќи користи помали струи во режимите за пишување и читање.

Првично, MRAM меморијата нарачана од Everspin беше произведена од NXP во нејзината фабрика во САД. Во 2014 година, Everspin склучи заеднички договор за работа со GlobalFoundries. Заедно, тие почнаа да развиваат дискретни и вградени MRAM (STT-MRAM) производствени процеси користејќи понапредни производни процеси.

Со текот на времето, капацитетите на GlobalFoundries започнаа производство на 40-nm и 28-nm STT-MRAM чипови (завршувајќи со нов производ - дискретен STT-MRAM чип од 1 Gbit), а исто така ја подготвија технологијата на процесот 22FDX за интегрирање STT- MRAM низи во контролери користејќи технологија на процес од 22 nm nm на наполитанки FD-SOI. Новиот договор помеѓу Everspin и GlobalFoundries ќе доведе до трансфер на производството на STT-MRAM чипови на технологијата за процесирање 12 nm.

MRAM меморијата се приближува до перформансите на SRAM меморијата и потенцијално може да ја замени во контролерите за Интернет на нештата. Во исто време, таа е неиспарлива и многу поотпорна на абење од конвенционалната NAND меморија. Преминот кон стандардите од 12 nm ќе ја зголеми густината на снимање на MRAM, и ова е неговиот главен недостаток.