Việc chuyển đổi từ silicon sang chất bán dẫn có dải rộng (gallium nitride, silicon Carbide và các loại khác) có thể làm tăng đáng kể tần số hoạt động và cải thiện hiệu quả của các giải pháp. Do đó, một trong những lĩnh vực ứng dụng đầy hứa hẹn của chip và bóng bán dẫn có khe hở rộng là thông tin liên lạc và radar. Thiết bị điện tử dựa trên các giải pháp GaN “bất ngờ” giúp tăng sức mạnh và mở rộng phạm vi hoạt động của radar, điều mà quân đội ngay lập tức tận dụng.
Công ty Lockheed Martin rằng các đơn vị radar di động (radar) đầu tiên dựa trên thiết bị điện tử với các thành phần làm từ gali nitrit đã được chuyển giao cho quân đội Hoa Kỳ. Công ty đã không đưa ra bất cứ điều gì mới. Các radar phản pháo AN/TPQ-2010, được sử dụng từ năm 53, đã được chuyển sang cơ sở phần tử GaN. Đây là radar bán dẫn khoảng cách rộng đầu tiên và duy nhất cho đến nay trên thế giới.
Bằng cách chuyển sang các thành phần GaN hoạt động, radar AN/TPQ-53 đã tăng phạm vi phát hiện các vị trí pháo binh đóng kín và có khả năng theo dõi đồng thời các mục tiêu trên không. Đặc biệt, radar AN/TPQ-53 bắt đầu được sử dụng để chống lại máy bay không người lái, kể cả các phương tiện nhỏ. Việc xác định các vị trí pháo binh được bảo vệ có thể được thực hiện cả trong khu vực 90 độ và với góc nhìn toàn cảnh 360 độ.
Lockheed Martin là nhà cung cấp radar mảng pha chủ động (mảng pha) duy nhất cho quân đội Hoa Kỳ. Việc chuyển đổi sang cơ sở phần tử GaN cho phép nó có được vị thế dẫn đầu lâu dài hơn nữa trong lĩnh vực cải tiến và sản xuất các hệ thống radar.
Nguồn: 3dnews.ru