Briti füüsikud on tulnud välja universaalse mäluga ULTRARAM

Ajumudelite väljatöötamist piirab sobiva mälu puudumine, mis on ühtaegu kiire, tihe ja püsimatu. Arvutite ja nutitelefonide jaoks pole samuti piisavalt sarnaste omadustega mälu. Briti füüsikute avastus tõotab tuua lähemale vajaliku universaalse mälu tekkimise.

Leiutis tehtud Lancasteri ülikooli (Ühendkuningriik) füüsikud. Eelmise aasta juunis ajakirjas Nature nad avaldas artikli, milles räägiti lahendusest universaalmälu paradoksile, mis peab ühendama kokkusobimatu: DRAM-i kiiruse ja NAND-i mittevolatiilsuse.

Juuni artiklis kirjeldati üksikasjalikult mäluelementi, mis kasutab elektroni kvantomadusi. Selle osakese lainelise olemuse tõttu võib tunnel läbi keelatud tõkke. Selleks peab elektronil olema teatud hulk “resonantsi” energiat. Kui teadlaste väljatöötatud rakule rakendatakse väike potentsiaal kuni 2,6 V, hakkavad elektronid tunneldama läbi kolmekihilise indiumarseniidi ja alumiiniumantimoniidi (InAs / AlSb) materjalidest valmistatud barjääri. Tavatingimustes takistab see barjäär elektronide läbipääsu ja hoiab neid rakus ilma toiteallikata, mis võimaldab rakku kirjutatud väärtust pikka aega säilitada.

Ajakirja IEEE Transactions on Electron Devices viimases jaanuarinumbris on samad teadlased rääkinudet nad suutsid luua usaldusväärseid ahelaid andmete lugemiseks sellistest rakkudest ja õppisid ühendama rakke mälumassiivideks. Teel avastasid füüsikud, et "üleminekubarjääride teravus" loob eeldused väga tihedate rakkude massiivide loomiseks. Ka 20 nm protsessitehnoloogia simulatsiooniprotsessi käigus sai selgeks, et kavandatavate elementide energiatõhusus võib olla 100 korda parem kui DRAM-mälu oma. Samas on uue ULTRARAM-mälu, nagu teadlased seda nimetavad, töökiirus võrreldav DRAM-i kiirusega ja jääb jõudluselt 10 ns piiresse.

Praegu tegelevad teadlased ULTRARAM-massiivide kujundamisega ja lahenduste ülekandmisega ränile. Samuti on alanud loogiliste sõlmede kujundamise etapp andmete kirjutamiseks ja rakkudest lugemiseks. Naljakas, et teadlased on uuele mälule kaubamärgi juba registreerinud (vt ülaltoodud pilti).

Allikas: 3dnews.ru