Говорим об альтернативах для кремния.
/ фото Unsplash
Закон Мура, закономерность Деннарда и правило Куми теряют актуальность. Одна из причин — кремниевые транзисторы приближаются к своему технологическому пределу. Эту тему мы подробно разбирали . Сегодня говорим о материалах, которые в перспективе могут заменить кремний и продлить действие трех законов, а значит — повысить эффективность процессоров и использующих их вычислительных систем (в том числе серверов в дата-центрах).
Углеродные нанотрубки
Углеродные нанотрубки представляют собой цилиндры, стенки которых состоят из одноатомного слоя углерода. Радиус атомов углерода меньше, чем у кремния, поэтому транзисторы на базе нанотрубок имеют большую подвижность электронов и плотность тока. В результате возрастает скорость работы транзистора и снижается его энергопотребление. По инженеров из Висконсинского университета в Мадисоне, производительность возрастает в пять раз.
Факт, что углеродные нанотрубки имеют лучшие характеристики, чем кремний известен давно — первые такие транзисторы появились . Но лишь недавно ученым удалось обойти ряд технологических ограничений, чтобы создать достаточно эффективное устройство. Три года назад физики из уже упомянутого университета в Висконсине представили прототип транзистора на базе нанотрубок, который обошел по характеристикам современные кремниевые устройства.
Одним из применений устройств на базе углеродных нанотрубок называют гибкую электронику. Но пока что технология не вышла за пределы лаборатории и о её массовом внедрении речи не идет.
Графеновые наноленты
Они представляют собой узкие полоски шириной в несколько десятков нанометров и одним из основных материалов для создания транзисторов будущего. Главное свойство графеновой ленты — возможность ускорить протекающий по ней ток с помощью магнитного поля. При этом графен большей электропроводимостью, чем кремний.
По , процессоры на основе графеновых транзисторов смогут работать на частотах близких к терагерцу. В то время как частота работы современных чипов установилась в пределах 4–5 гигагерц.
Первые прототипы графеновых транзисторов . С тех пор инженеры процессы «сборки» устройств на их основе. Совсем недавно были получены первые результаты — команда разработчиков из Кембриджского университета в марте о запуске в производство . Инженеры говорят, что новое устройство способно ускорить работу электронных девайсов в десять раз.
Диоксид и селенид гафния
Диоксид гафния применяется в производстве микросхем еще . Из него делают изолирующий слой на транзисторном затворе. Но сегодня инженеры предлагают оптимизировать с его помощью работу кремниевых транзисторов.
/ фото PD
В начале прошлого года ученые из Стэнфорда , что если особым образом реорганизовать кристаллическую структуру диоксида гафния, то его (отвечает за способность среды пропускать электрическое поле) возрастет более, чем в четыре раза. Если использовать такой материал при создании транзисторных затворов, можно значительно снизить влияние .
Также американские ученые уменьшить размеры современных транзисторов с помощью селенидов гафния и циркония. Их можно использовать в качестве эффективного изолятора для транзисторов вместо оксида кремния. Селениды имеют значительно меньшую толщину (в три атома), сохраняя хорошую ширину запрещенной зоны. Это — показатель, определяющий энергопотребление транзистора. Инженерам уже несколько работающих прототипов устройств на основе селенидов гафния и циркония.
Сейчас инженерам необходимо решить проблему с соединением таких транзисторов — разработать для них соответствующие контакты небольших размеров. Только после этого можно будет говорить о массовом производстве.
Дисульфид молибдена
Сам по себе сульфид молибдена довольно плохой полупроводник, который уступает по свойствам кремнию. Но группа физиков из университета Нотр-Дам обнаружила, что тонкие молибденовые пленки (толщиной в один атом) обладают уникальными качествами — транзисторы на их основе не пропускают ток в выключенном состоянии и требуют мало энергии на переключение. Это позволяет им работать при низких напряжениях.
Прототип молибденового транзистора в лаборатории им. Лоуренса в Беркли в 2016 году. Ширина устройства составляет всего один нанометр. Инженеры говорят, что такие транзисторы помогут продлить действие закона Мура.
Также транзистор на основе дисульфида молибдена в прошлом году инженеры из южнокорейского университета. Ожидается, что технология найдёт применение в управляющих цепях OLED-дисплеев. Однако о массовом производстве подобных транзисторов пока говорить не приходится.
Несмотря на это исследователи из Стэнфорда , что современную инфраструктуру по производству транзисторов можно с минимальными затратами перестроить на работу с «молибденовыми» устройствами. Получится ли реализовать подобные проекты, предстоит увидеть в будущем.
О чем мы пишем в нашем Telegram-канале:
Источник: habr.com