SK Hynix начала массовое производство самых скоростных чипов памяти HBM2E

Менее года понадобилось компании SK Hynix, чтобы перейти от этапа завершения разработки памяти HBM2E к началу её массового производства. Но главное даже не эта поразительная оперативность, а уникальные скоростные характеристики новых чипов HBM2E. Пропускная способность микросхем HBM2E SK Hynix достигает 460 Гбайт/с на каждую микросхему, что на 50 Гбайт/с превышает прежние показатели.

SK Hynix начала массовое производство самых скоростных чипов памяти HBM2E

Значительный рывок производительности памяти типа HBM должен произойти при переходе на память третьего поколения или HBM3. Тогда скорость обмена поднимется до 820 Гбайт/с. Пока же пробел будут заполнять чипы компании SK Hynix, скорость обмена по каждому выводу которых составляет 3,6 Гбит/с. Каждая такая микросхема собирается из восьми кристаллов (слоёв). Если учесть, что в каждом слое расположен 16-Гбит кристалл, то общая ёмкость новых микросхем составляет 16 Гбайт.

Память с подобным сочетанием характеристик начинает быть востребованной и актуальной для создания решений в сфере машинного обучения и искусственного интеллекта. Она выросла из сферы игровых видеокарт, где в своё время получила старт благодаря видеокартам компании AMD. Сегодня главное назначение памяти HBM ― это высокопроизводительные вычисления и ИИ.

«SK Hynix находится в авангарде технологических инноваций, которые способствуют человеческой цивилизации благодаря достижениям, в том числе первой в мире разработке продуктов HBM», ― сказал Чонхун О (Jonghoon Oh), исполнительный вице-президент и директор по маркетингу (CMO) в SK Hynix. «Благодаря полномасштабному серийному производству HBM2E мы продолжим укреплять свое присутствие на рынке памяти премиум-класса и возглавим четвертую промышленную революцию».

Источник:



Источник: 3dnews.ru

Добавить комментарий