Зарядки для гаджетов на пороге революции: китайцы научились делать GaN-транзисторы

Силовые полупроводники поднимаются на ступеньку выше. Вместо кремния в дело идёт нитрид галлия (GaN). Инверторы и блоки питания на GaN-транзисторах работают с КПД до 99 %, обеспечивая высочайшую эффективность энергетических систем от электростанций до систем хранения и использования электричества. Лидерами нового рынка являются компании из США, Европы и Японии. Теперь в эту область вошла первая компания из Китая.

На днях китайский производитель гаджетов компания ROCK выпустила первое зарядное устройство с поддержкой быстрой зарядки на «китайском чипе». В основе обычного, в общем-то, решения лежит GaN силовая сборка серии InnoGaN компании Inno Science. Чип выполнен в стандартном для компактных блоков питания формфакторе DFN 8×8.

Зарядка ROCK 2C1AGaN мощностью 65 Вт компактнее и более функциональная, чем зарядное устройство Apple 61W PD (сравнение выше на фото). Китайская зарядка может одновременно заряжать три устройства по двум интерфейсам USB Type-C и одному USB Type-A. В будущем ROCK на китайских GaN-сборках планирует выпустить версии быстрых зарядок мощностью 100 и 120 Вт. Кроме неё с производителем силовых GaN-элементов компанией Inno Science сотрудничают ещё около 10 китайских производителей зарядных устройств и блоков питания.

Изыскания китайских компаний и, в частности, компании Inno Science в области силовых GaN-компонентов призваны привести к независимости Китая от зарубежных поставщиков аналогичных решений. Компания Inno Science обладает собственным центром разработок и лабораторией для полного цикла тестирования решений. Но что более важно, она имеет две производственные линии для выпуска GaN-решений на 200-мм подложках. Для мира и даже для рынка Китая ― это капля в море. Но с чего-то ведь нужно начинать.

Источник: 3dnews.ru